公开(公告)号：CN103373730B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310132657.9

申请日：2013-04-17

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： D·韦克塞尔 ,  R·豪斯维特

IPC: C01B33/03

CPC classification number: C01B33/027 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000，氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅；并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法，包括：借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化，加入含硅和卤素的反应气体，通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积，形成颗粒状多晶硅，从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒；特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量，使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围，且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。

公开(公告)号：CN103373730A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310132657.9

申请日：2013-04-17

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： D·韦克塞尔 ,  R·豪斯维特

IPC: C01B33/03

CPC classification number: C01B33/027 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000，氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅；并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法，包括：借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化，加入含硅和卤素的反应气体，通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积，形成颗粒状多晶硅，从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒；特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量，使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围，且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。