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公开(公告)号：CN105939964A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480072665.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/03 , B01F5/247 , B05D1/22 , C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种在流化床反应器中生产颗粒状多晶硅的方法，包括：在流化床中借助气流使硅颗粒流体化，所述流化床借助加热装置加热至850‑1100℃的温度，加入含硅反应气体，并在硅颗粒上沉积硅，从反应器排出产生的颗粒状多晶硅，并包装颗粒状多晶硅，其中在从反应器排出颗粒状多晶硅直至包装颗粒状多晶硅的过程中，利用针对漏斗流设计的容器多次转移颗粒状多晶硅。
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公开(公告)号：CN105612011B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201480055646.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 瓦克化学股份公司
Abstract: 本发明提供一种使用振动筛分机对多晶硅晶块或颗粒进行机械分类的方法，所述方法是通过将硅晶块或硅颗粒设置在一个或多个筛网上，每个筛网包括振动的筛网衬里，使得所述硅晶块或硅颗粒进行运动，所述运动导致硅晶块或硅颗粒被分成各种尺寸等级，其中筛分指数大于或等于0.6且小于或等于9.0。
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公开(公告)号：CN105612011A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055646.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 瓦克化学股份公司
CPC classification number: B07B1/4609 , B07B1/00 , B07B1/28 , B07B1/46 , B07B13/18 , B07B2201/04
Abstract: 本发明提供一种使用振动筛分机对多晶硅晶块或颗粒进行机械分类的方法，所述方法是通过将硅晶块或硅颗粒设置在一个或多个筛网上，每个筛网包括振动的筛网衬里，使得所述硅晶块或硅颗粒进行运动，所述运动导致硅晶块或硅颗粒被分成各种尺寸等级，其中筛分指数大于或等于0.6且小于或等于9.0。
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公开(公告)号：CN101298329B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810092816.6
申请日：2008-05-04
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/027
Abstract: 通过在流化床反应器中将反应气体沉积在硅颗粒上而制备高纯度多晶硅颗粒的方法，其包括：(I)具有包括至少两个前后排列的区域的反应器空间的反应器，(II)其中下部区域通过借助独立喷嘴将不含硅的气体导入硅颗粒而被弱流化，(III)其与另一个区域直接接触而相连接，该另一个区域与第一区域直接接触，(IV)该区域经由其向外受限的壁而进行加热，及(V)借助一个或多个喷嘴将含硅的反应气体作为垂直向上取向的气体射流以高速由喷嘴引入在此形成的反应区内，其中在喷嘴上方形成由产生气泡的流化床包围的局部反应气体射流，在该流化床内使含硅气体在颗粒表面上分解并导致颗粒生长，及(VI)在此情况下，以如下方式导入反应气体：在其到达流化床壁或流化床表面之前几乎完全反应至化学平衡转化率。
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公开(公告)号：CN101258105A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032961.4
申请日：2006-09-04
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/029 , C01B33/03
CPC classification number: C01B33/03 , C01B33/027 , C01B33/029
Abstract: 本发明涉及用于制备颗粒状多晶硅的方法，其中使包含气态硅化合物的反应气体于600至1100℃的反应温度下在具有热表面的流化床反应器内在借助于流化气体流化形成流化床的硅颗粒上作为硅金属沉积，将具有沉积硅的颗粒以及未反应的反应气体和流化气体从该反应器除去，包含99.5至95摩尔％氢气和0.5至5摩尔％气态硅化合物的气体组合物存在于该反应器的表面上，且该反应器的表面的温度为700至1400℃，该温度相当于该硅颗粒的温度或者高于该硅颗粒的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103373730B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310132657.9
申请日：2013-04-17
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/03
CPC classification number: C01B33/027 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000，氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅；并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法，包括：借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化，加入含硅和卤素的反应气体，通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积，形成颗粒状多晶硅，从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒；特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量，使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围，且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。
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公开(公告)号：CN103373730A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310132657.9
申请日：2013-04-17
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/03
CPC classification number: C01B33/027 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000，氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅；并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法，包括：借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化，加入含硅和卤素的反应气体，通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积，形成颗粒状多晶硅，从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒；特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量，使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围，且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。
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公开(公告)号：CN101298329A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810092816.6
申请日：2008-05-04
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/027
Abstract: 通过在流化床反应器中将反应气体沉积在硅颗粒上而制备高纯度多晶硅颗粒的方法，其包括：(I)具有包括至少两个前后排列的区域的反应器空间的反应器，(II)其中下部区域通过借助独立喷嘴将不含硅的气体导入硅颗粒而被弱流化，(III)其与另一个区域直接接触而相连接，该另一个区域与第一区域直接接触，(IV)该区域经由其向外受限的壁而进行加热，及(V)借助一个或多个喷嘴将含硅的反应气体作为垂直向上取向的气体射流以高速由喷嘴引入在此形成的反应区内，其中在喷嘴上方形成由产生气泡的流化床包围的局部反应气体射流，在该流化床内使含硅气体在颗粒表面上分解并导致颗粒生长，及(VI)在此情况下，以如下方式导入反应气体：在其到达流化床壁或流化床表面之前几乎完全反应至化学平衡转化率。
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公开(公告)号：CN106714973B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580030843.9
申请日：2015-06-02
Applicant: 瓦克化学股份公司
Inventor： G·福斯特波音特纳尔 , R·豪斯维特
IPC: B02C19/06 , C01B33/021
Abstract: 本发明的目的是用于生产硅晶种粒子的方法，所述硅晶种粒子可用于在流化床反应器中生产多晶硅颗粒，所述方法包括将研磨气体流引入具有多晶硅颗粒的室中，因此，所述多晶硅颗粒的单个粒子以这样的方式被加速，使得它们与所述多晶硅颗粒的其它粒子碰撞，并且在此情况下，所述多晶硅颗粒被粉碎，其中所述研磨气体流通过至少一个由硬质金属制成的喷射喷嘴(4)被引入所述室中。
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公开(公告)号：CN105939964B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480072665.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种在流化床反应器中生产颗粒状多晶硅的方法，包括：在流化床中借助气流使硅颗粒流体化，所述流化床借助加热装置加热至850‑1100℃的温度，加入含硅反应气体，并在硅颗粒上沉积硅，从反应器排出产生的颗粒状多晶硅，并包装颗粒状多晶硅，其中在从反应器排出颗粒状多晶硅直至包装颗粒状多晶硅的过程中，利用针对漏斗流设计的容器多次转移颗粒状多晶硅。
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