公开(公告)号：CN116156978A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211570374.8

申请日：2022-12-07

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘欢 ,  李世彬 ,  郑朝月

IPC: H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/10 ,  H10K71/12 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18 ,  H10K39/15

Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种基于单源蒸镀制备钙钛矿吸收层的方法及全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备。首先通过热蒸发将钙钛矿前驱体材料沉积到全绒面晶硅电池衬底上，接着通过旋涂法或浸泡法，将MAI/FAI的异丙醇溶液覆盖到上述样品表面，最后通过退火形成均匀稳定、保形的钙钛矿吸收层。本发明采用的单源蒸镀法可将钙钛矿薄膜均匀覆盖在绒面衬底上，制备工艺简单可控。同时，该方法与晶硅异质结电池产线兼容，便于全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备与推广。

公开(公告)号：CN115768134A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211503346.4

申请日：2022-11-28

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  陈希明 ,  宋万科 ,  刘欢 ,  杨亚杰 ,  李世彬

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/88 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法。本发明打破传统神经形态器件的光淬灭方法，引入电解质层，可以大幅提高器件的光稳定性，有利于器件在强光下避免干扰而保持正常的工作状态。适用性强，由于本发明利用了电解质层的激子淬灭作用，所以对于绝大多数有机半导体层产生的光生激子都能起到相同的作用。工艺简单，与现有的神经形态器件制备工艺相匹配。

公开(公告)号：CN117615627A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311405030.6

申请日：2023-10-27

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘欢 ,  熊雯靖 ,  白赛

IPC: H10K71/40 ,  H10K71/10 ,  H10K85/50 ,  H10K39/15 ,  H10K30/57 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：首先在衬底上通过热蒸发工艺形成钙钛矿前驱体材料薄膜，其次将MABr/FAI的混合溶液覆盖到钙钛矿前驱体材料薄膜上，最后将样品进行分步退火，最终获得宽带隙钙钛矿薄膜。本发明采用的热蒸发/溶液法制备的钙钛矿薄膜结晶尺寸大、表面平整光滑、薄膜均匀性好。与现有技术比较，该制备工艺简单可控，对衬底平整度要求低。

公开(公告)号：CN115988885A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211556308.5

申请日：2022-12-06

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  陈希明 ,  宋万科 ,  刘欢 ,  杨亚杰 ,  李世彬

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方。本发明的神经形态器件通过添加铁电极化层和电荷捕获层，使得器件同时具备铁电极化效应及电荷捕获效应，且电学性能稳定，制备成本低，因此，这种同时具有铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件有望在集成多功能器件方面得到推广应用。

公开(公告)号：CN115768135A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211506888.7

申请日：2022-11-28

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  宋万科 ,  陈希明 ,  刘欢 ,  杨亚杰 ,  李世彬

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于电荷捕获材料的电解质栅控神经形态器件及其制备方法，所述神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。本发明通过电学性质测试，可判定器件存在电荷捕获效应和电双层效应两种电荷机理。而且，器件采用水平栅+底栅的双栅极结构，可以通过改变连接栅极，来调控两种电荷机理的主导作用。

公开(公告)号：CN115623798A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211298999.3

申请日：2022-10-24

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘欢 ,  李世彬 ,  郑朝月

IPC: H10K30/50 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种绒面平滑处理的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制备方法。该叠层太阳电池自下至上分别为具有平滑绒面结构的硅底电池、载流子复合层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层、金属电极层、减反射膜。本发明的绒面平滑处理可使金字塔的顶部和底部变得圆滑，同时降低金字塔绒面的表面粗糙度，从而有利于均匀连续、保形的钙钛矿薄膜沉积，降低了高质量钙钛矿层的制备难度。该平滑处理的方法与异质结(HJT)电池产线兼容，便于钙钛矿/硅叠层太阳电池的制备与推广。