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公开(公告)号：CN118804607A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310397964.3
申请日：2023-04-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种晶体管及制备方法，在衬底上形成栅极层；所述栅极层包括依次设置的栅电极、栅电介质层；图形化所述栅电介质层，形成连通至所述栅电极的第一通孔；在所述栅极层上依次形成源漏电极、有源层、保护层、封装层；在所述第一通孔的位置处依次图形化所述封装层、所述保护层、所述有源层，形成连通至所述栅电极的第二通孔。本发明通过两次图案化操作，在同一位置处的栅电介质层与有源层上加工出通孔连接通至栅电极，实现了在有源层上进行图案化，减小有机薄膜晶体管的关断漏电流、栅泄漏电流及亚阈值摆幅，提升有机薄膜晶体管电路的开关速度，减少有机薄膜晶体管电路的功耗。
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公开(公告)号：CN117729781A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311743182.7
申请日：2023-12-18
申请人： 苏州烯晶半导体科技有限公司
发明人： 韩杰
摘要： 本发明涉及一种调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法，属于场效应晶体管极性调控技术领域，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积碳纳米管层；在碳纳米管层上形成极性调控层；对碳纳米管层、碳纳米管层及其上方的极性调控层或碳纳米管层及其下方的部分衬底进行刻蚀，形成源极接触区和漏极接触区，并形成源极和漏极；完成后续碳纳米管场效应晶体管的制备；对制备完成的碳纳米管场效应晶体管进行退火处理。本申请提供的方法，通过在碳纳米管层上覆盖电介质层或钝化层作为极性调控层，并对制备完成的碳纳米管场效应晶体管进行退火处理，从而实现碳纳米管场效应晶体管的极性调控，可解决调控场效应晶体管的极性时，场效应晶体管性能不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN116867289A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310898432.8
申请日：2023-07-21
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点，实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升。且价格低廉节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116576995A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310540020.7
申请日：2023-05-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01L1/16 , C08G73/06 , G01L9/08 , H10K10/46 , H10K10/80 , H10K10/82 , H10K10/88 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/60 , H10K77/10
摘要： 本发明公开了一种基于微结构压电栅极的生物柔性压力传感器及制备工艺，采用全薄膜式结构，每个功能层都是环境稳定性好，对人体无害，能够很好的和生物所兼容。同时，压敏传感器的有源层是聚吡咯薄膜，采用电化学合成法制备，吡咯原料成本低并且制备工艺简单，绿色环保，成本低廉。压电层是钛酸钡和聚二甲基硅氧烷的混合物薄膜，聚二甲基硅氧烷是最常用的柔性基底材料，价格比较低廉，钛酸钡是电子陶瓷中应用最广泛的材料，价格也很低。本发明可大规模集成具有高的空间分辨率。柔性压敏传感器的结构采用有机场效应结构，可实现规模化阵列结构的压敏传感电子皮肤等应用，具有较高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN118159040A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322558.5
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
IPC分类号： H10K10/84 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C1/02 , C22F1/18 , C22F1/02 , H10K10/46 , H10K85/20 , H10K10/88 , H10K71/60
摘要： 本发明涉及一种基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述结构包括：低功函数合金层，其中，低功函数合金层的材料包括：原子百分比为32at％‑80at％的钪；原子百分比为20at％‑60at％的钇；以及原子百分比为0‑8at％的微调元素，微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种；设置在低功函数合金层上方的金属钝化层，其中，金属钝化层的材料为铝、钯、钛、铬、金等中的一种或多种；以及设置在金属钝化层上方的非金属钝化层，其中，非金属钝化层为氧化物钝化层或氮化物钝化层。本申请提供的基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，有利于降低N型晶体管的接触电阻、提高N型晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN117750786A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211119302.1
申请日：2022-09-14
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京魏桥国科新能源技术研究院有限公司
IPC分类号： H10K10/46 , H10K10/82 , H10K10/88 , H10K30/60 , H10K30/81 , H10K30/88 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/80 , H10K77/10
摘要： 本发明公开一种基于大面积聚合物半导体薄膜的可拉伸自供电光探测器及其制备。所述可拉伸自供电光探测器的可拉伸聚合物半导体层为空间纳米限域的大面积聚合物半导体薄膜。所制备的可拉伸自供电有机光探测器具有优异电学性能和机械稳定性的大面积。更重要的是，结果表明，该探测器可以承受100％拉伸形变，并在1000次循环拉伸测试(25％应力下)中表现出优异的光电稳定性，为可拉伸自供电有机光探测器的设计提供了新的方向。同时，本发明成功应用于物体成像，证明了其在生物医疗及3D成像系统中的应用潜力。因此，本专利为制造高性能的可拉伸自供电有机光探测器提供了一种可行的方法，这将为下一代假肢和神经机器人开辟一个新时代。
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公开(公告)号：CN110785864B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201880041936.5
申请日：2018-05-11
申请人： 爱色乐居
IPC分类号： H10K10/88 , H10K30/88 , H10K50/844 , H10K50/84 , H10K71/00
摘要： 本发明涉及一种电子设备(50)，其包含：基板(12)；覆盖基板的不透氧不透水的第一保护层个有机半导体区域的电子元件(18)；不透氧不透水的封装层(66)，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖有机半导体区域；完全覆盖封装层的不透氧不透水的第二保护层(64)；和覆盖第二保护层的支撑层(62)。(52)；至少一个位于第一保护层上并包含至少一
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公开(公告)号：CN116133440A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211654225.X
申请日：2022-12-22
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。
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公开(公告)号：CN117858517A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311523347.X
申请日：2023-11-15
申请人： 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC分类号： H10K10/46 , G01L1/14 , H10K10/88 , H10K71/10 , H10K71/12 , H10K71/13 , H10K71/60 , H10K85/10 , H10K85/00
摘要： 本发明提供了一种耐弯折柔性压力传感器，从下到上包括衬底、栅电极、介电层、半导体层、源电极、漏电极以及封装层；所述介电层材料为i型卡拉胶或/和k型卡拉胶；所述半导体层材料为i型卡拉胶与生物半导体材料的混合材料或为k型卡拉胶与生物半导体材料的混合材料；所述半导体层材料中卡拉胶的含量为2％～10％。本发明还提供了一种耐弯折柔性压力传感器的制备方法。本发明提供的一种耐弯折柔性压力传感器，具有高灵敏度，高稳定性以及高寿命性，且其制备方法简单，生产成本低廉，绿色环保。
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