公开(公告)号：CN1816919B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200480019353.0

申请日：2004-05-07

Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 太田稔智 ,  吉泽广喜 ,  藤田浩一 ,  今井功 ,  东松刚 ,  西池氏裕

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  B22D11/06 ,  C22C28/00

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22D11/0611 ,  H01L35/16

Abstract: 调制对(Bi-Sb)2Te3系的组成加入了过剩的Te的金属混合物，使金属混合物熔融后，借助圆周速度为5m/秒以下的冷却辊的表面使其凝固成厚度为30μm以上，制造在复合化合物半导体相中微细地分散了富Te相且大部分的晶粒的C面的延伸方向统一的板状的热电半导体坯料(10)，在将热电半导体坯料(10)沿板厚方向层叠、固化成形而形成成形体(12)后，对成形体(12)在与热电半导体坯料(10)的主要层叠方向大致平行的一轴向上作用剪切力而使其塑性变形，制造具有晶粒的六方晶结构的C面的延伸方向和C轴方向都大致统一的晶粒取向性的热电半导体材料(17)。结果，晶粒取向性提高且热电性能指数提高。

公开(公告)号：CN1816919A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019353.0

申请日：2004-05-07

Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 太田稔智 ,  吉泽广喜 ,  藤田浩一 ,  今井功 ,  东松刚 ,  西池氏裕

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  B22D11/06 ,  C22C28/00

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22D11/0611 ,  H01L35/16

Abstract: 调制对(Bi－Sb)2Te3系的组成加入了过剩的Te的金属混合物，使金属混合物熔融后，借助圆周速度为5m/秒以下的冷却辊的表面使其凝固成厚度为30μm以上，制造在复合化合物半导体相中微细地分散了富Te相且大部分的晶粒的C面的延伸方向统一的板状的热电半导体坯料(10)，在将热电半导体坯料(10)沿板厚方向层叠、固化成形而形成成形体(12)后，对成形体(12)在与热电半导体坯料(10)的主要层叠方向大致平行的一轴向上作用剪切力而使其塑性变形，制造具有晶粒的六方晶结构的C面的延伸方向和C轴方向都大致统一的晶粒取向性的热电半导体材料(17)。结果，晶粒取向性提高且热电性能指数提高。