金属薄片制造装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1336855A

    公开(公告)日:2002-02-20

    申请号:CN00802629.7

    申请日:2000-11-02

    Abstract: 将冷却辊(11)、(12)以大于被制造金属薄体的厚度的间隔进行设置,设有将金属液喷射到冷却辊(11)的表面上的喷嘴(14)。并且,以第一个冷却辊(11)对喷嘴(14)喷出的金属液进行急冷而制成金属薄体,使制造出的金属薄体与下一个冷却辊(12)相碰撞而成为薄片,同时,能够使过多的金属液成为金属薄体。

    熔液供给喷嘴
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101048247B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200580036925.0

    申请日:2005-10-20

    CPC classification number: B22D11/0642

    Abstract: 本发明的熔液供给喷嘴在喷嘴端部设置有延长体(11),该延长体(11)下侧部分浸入熔液存留部,并朝向侧堰(2)突出,以使熔液自由液面的停滞范围消失。延长体(11)呈将四棱锥放倒那样的形状,朝向距侧堰(2)极近的点(P1)收敛。在该熔液供给喷嘴中,由于将熔液自由液面的停滞范围置换为与喷嘴端部相连的延长体(11)而抑制不希望的凝固壳的生成,所以在冷却辊(1)的外周面生成且形成条带的凝固壳不会夹入作为异物的不希望的凝固壳,能避免因辊隙的扩大而引起的条带的断裂。

    热电半导体材料及其制造方法

    公开(公告)号:CN1816919B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200480019353.0

    申请日:2004-05-07

    CPC classification number: H01L35/34 B22D11/0611 H01L35/16

    Abstract: 调制对(Bi-Sb)2Te3系的组成加入了过剩的Te的金属混合物,使金属混合物熔融后,借助圆周速度为5m/秒以下的冷却辊的表面使其凝固成厚度为30μm以上,制造在复合化合物半导体相中微细地分散了富Te相且大部分的晶粒的C面的延伸方向统一的板状的热电半导体坯料(10),在将热电半导体坯料(10)沿板厚方向层叠、固化成形而形成成形体(12)后,对成形体(12)在与热电半导体坯料(10)的主要层叠方向大致平行的一轴向上作用剪切力而使其塑性变形,制造具有晶粒的六方晶结构的C面的延伸方向和C轴方向都大致统一的晶粒取向性的热电半导体材料(17)。结果,晶粒取向性提高且热电性能指数提高。

    熔液供给喷嘴
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101048247A

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200580036925.0

    申请日:2005-10-20

    CPC classification number: B22D11/0642

    Abstract: 本发明的熔液供给喷嘴在喷嘴端部设置有延长体(11),该延长体(11)下侧部分浸入熔液存留部,并朝向侧堰(2)突出,以使熔液自由液面的停滞范围消失。延长体(11)呈将四棱锥放倒那样的形状,朝向距侧堰(2)极近的点(P1)收敛。在该熔液供给喷嘴中,由于将熔液自由液面的停滞范围置换为与喷嘴端部相连的延长体(11)而抑制不希望的凝固壳的生成,所以在冷却辊(1)的外周面生成且形成条带的凝固壳不会夹入作为异物的不希望的凝固壳,能避免因辊隙的扩大而引起的条带的断裂。

    金属薄片制造装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1227083C

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN00802629.7

    申请日:2000-11-02

    Abstract: 将冷却辊(11)、(12)以大于被制造金属薄体的厚度的间隔进行设置,设有将金属液喷射到冷却辊(11)的表面上的喷嘴(14)。并且,以第一个冷却辊(11)对喷嘴(14)喷出的金属液进行急冷而制成金属薄体,使制造出的金属薄体与下一个冷却辊(12)相碰撞而成为薄片,同时,能够使过多的金属液成为金属薄体。

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