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公开(公告)号：CN108258225A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061272.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料的制备方法。该电极材料以竹子煅烧后的碳骨架为阵列基底，采用去有机化，酸化等工艺负载金属氧化物活性物质，然后又通过葡萄糖包覆以及碳化处理来增强材料的稳定性，接着又采用抽滤，烘干，超声处理以及水热硫化的工艺将氧化物改性为硫化物来增加电化学性能，最终获得一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料。本发明绿色环保，无贵金属及重金属的使用，方便可行，有利于工业化大规模生产，且制备的电极材料具有优异的导电性与稳定性，以及高的充放电比容量及电化学循环性能，在锂电池负极材料领域有着巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108190960A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN115666150A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580088.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108258225B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810061272.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料的制备方法。该电极材料以竹子煅烧后的碳骨架为阵列基底，采用去有机化，酸化等工艺负载金属氧化物活性物质，然后又通过葡萄糖包覆以及碳化处理来增强材料的稳定性，接着又采用抽滤，烘干，超声处理以及水热硫化的工艺将氧化物改性为硫化物来增加电化学性能，最终获得一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料。本发明绿色环保，无贵金属及重金属的使用，方便可行，有利于工业化大规模生产，且制备的电极材料具有优异的导电性与稳定性，以及高的充放电比容量及电化学循环性能，在锂电池负极材料领域有着巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108190960B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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