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公开(公告)号：CN116666361A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310693864.5
申请日：2023-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R31/311
Abstract: 本发明提出应用于晶圆级LED芯片无接触电检测的复合介质层，所述的电极板是一个导电平面基板，其表面设置有导电微型尖端阵列，导电微型尖端的表面进一步设置有纳米复合介质层。在导电平面基本上设置微型尖端阵列可以有效集中表面电场，降低设备工作时所需的电压。在微型尖端表面设置纳米复合介质层可以根据外部电场变化产生电荷积累进一步稳定空间电场，可无接触驱动LED芯片，从而实现低压、稳定的晶圆级LED检测。
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公开(公告)号：CN116072696A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310222313.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件，其特征在于，包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层；所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置；所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层；所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层，另一侧设有源极金属接触层；所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上；所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层，采用选择性生长LED外延层（SEG），简化制备工艺，同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。
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公开(公告)号：CN111834421B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H10K59/35 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/46 , H10K50/11 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN115873598A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115332238A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299228B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN114898718A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210658851.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明涉及一种彩色电润湿电子纸实时色彩转换方法。将视频分解成一帧帧的图像数据，并对图像进行分区处理；然后将图像色彩转换成256阶的灰度值信息，而后进行32×32的离散余弦变换（DCT）将图像灰度信息转换为频率分量；对32×32矩阵隔位取出8×8矩阵，并对所有数值求平均；灰度值大于均值或大于下一个像素值的记为1，反之记为0，计算哈希值，构造长整型指纹，对分区像素进行查找分组；再对相似的局部特征经池化层求平均的降采样处理；通过权值矩阵将前后层的特征神经元全连接；最后将目标像素分区RGB色彩信息根据色彩转换准则与驱动电压‑开口率特性曲线，将各个目标像素的RGB色彩计算转化为CMY油墨的驱动电压，并保存以便下次播放无需重复计算。
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公开(公告)号：CN114742844A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210380141.5
申请日：2022-04-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于区域方差权重的阈值分割方法及系统，该方法先利用改进的Otsu阈值分割算法求得第一阈值Th1，基于第一阈值Th1将图像分割成背景区和目标区，并计算分割的两区域的方差；再利用最大熵阈值分割算法求得第二阈值Th2，基于第二阈值Th2将图像分割成背景区和目标区，并计算分割的两区域的方差；然后引入权重系数来权衡四个方差所占比重的大小，通过权重系数自适应地调节两个阈值的大小，从而得到准确的分割阈值Th，并基于分割阈值Th将图像分割成背景区和目标区。该方法及系统有利于在不丢失图像纹理细节的同时，准确地将图像分割成目标区和背景区。
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公开(公告)号：CN113238306B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN112364944B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011502665.4
申请日：2020-12-18
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06K9/62 , G06N3/04
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的生活垃圾分类方法。包括：建立生活垃圾数据集，采用数据增强方法扩充数据集；建立神经网络分类模型，使用幻象模块替换ResNet18残差单元的普通卷积，得到G‑ResNet18网络；将扩充后的数据集经过预处理操作后输入到G‑ResNet18网络进行分类训练；将待分类的生活垃圾图片经过预处理操作后输入到训练后的G‑ResNet18模型，输出分类结果；实验结果表明：G‑ResNet18网络在本实验数据集上的识别精度达到91.6%，识别精度提高了1%，网络的参数量减少了46%。本发明能在不降低网络识别精度的同时大大减少网络的参数量，可以应用于垃圾的智能分类。
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