-
公开(公告)号：CN112599714B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110019740.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化量子点制备纳米LED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化量子点薄膜、电子传输层、金属阴极，所述图案化量子点薄膜以转印的方法制备，包括以下步骤：1）预先制备带图案化凹槽的PDMS印章；2）通过LB膜拉膜机生成量子点LB膜；3）将PDMS印章粘附量子点LB膜，使量子点填充满凹槽处，得到图案化的量子点；4）将凹槽处填充了量子点的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使图案化的量子点被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
-
公开(公告)号：CN112701230A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011538453.1
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
-
公开(公告)号：CN113937243A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
-
公开(公告)号：CN113937230A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
-
公开(公告)号：CN113707769A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973110.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法，通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层，以缩小发光单元尺寸及消除漏电流，可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取，绝缘材料体系局限性小，可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层，免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染，将其应用于LED中，可降低甚至消除器件中的漏电流，减少能量损耗，实现高效发光，配合RGB单色发光材料或白光发光材料，可实现高分辨率全彩LED点阵。
-
公开(公告)号：CN112599714A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110019740.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化量子点制备纳米LED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化量子点薄膜、电子传输层、金属阴极，所述图案化量子点薄膜以转印的方法制备，包括以下步骤：1）预先制备带图案化凹槽的PDMS印章；2）通过LB膜拉膜机生成量子点LB膜；3）将PDMS印章粘附量子点LB膜，使量子点填充满凹槽处，得到图案化的量子点；4）将凹槽处填充了量子点的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使图案化的量子点被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.019 seconds)
