公开(公告)号：CN106319269B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610935975.2

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  杨洪雷

IPC: C22C1/04 ,  C22C24/00 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明公开了一种立方相Ca3Si合金及其制备方法，包括以下步骤：（1）将Ca粉和Si粉按比例在Ar保护气氛下混合均匀，得到混合物；（2）将所述混合物，在Ar气保护气氛下放入球磨罐中，将球磨罐密封好，避免氧气进入；（3）将步骤（2）中准备好的球磨罐，放入球磨机中以一定的转速进行球磨，使粉末充分反应，得到均匀的混合粉体；（4）将步骤（3）中得到均匀的混合粉体取出，装入所需规格的不锈钢模具中，采用真空等离子烧结的方式进行真空烧结压片，即得立方相Ca3Si片状或块状合金材料。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势，所得的立方相Ca3Si片状或块状合金，产品纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN106480419A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610935012.2

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  熊锐 ,  萨百晟 ,  杨洪雷

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种Ca3Si薄膜的制备方法。在本底真空度为6.5×10-4 Pa，工作气体为高纯Ar气，采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，一靶位放Ca靶，电源选用射频电源；另一靶位放Si单质靶，电源选用直流电源；先镀Ca层，接着镀Si层，以此为一周期；按此周期循环多次，从而得到具有叠层结构的薄膜，最后采用原位热处理获得Ca3Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势，可满足大规模生产需要。