公开(公告)号：CN106384811B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610895587.6

申请日：2016-10-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 吴波 ,  彭琼 ,  萨百晟 ,  杨洪雷 ,  胡康明

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及其制备方法，采用的技术方案是：基于密度函数理论的第一性原理方法计算模拟，筛选蓝磷/过渡金属二硫化物异质结，进一步设计出该异质结的制备方法；其先采用化学气相沉积方法制备过渡金属二硫化物；然后将过渡金属二硫化物、白磷粉末以及有机溶剂搅拌混合均匀，再经离心处理后，然后在真空或者氩气气氛中进行退火处理，得到蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料。本发明制备得到的阳极材料具有良好的结构稳定性、导电性、柔性、较大的锂吸附容量以及良好的电学性能，制备工艺简单，可重复性强，成品率高，成本低，适于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN106744980B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201611025733.6

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  杨洪雷

IPC: C01B33/06

Abstract: 本发明公开了一种Ca3Si合金材料及其高温高压制备方法，属于合金材料制备领域。所述的Ca3Si合金材料中，Ca和Si的成分摩尔比为3~3.5:1，空间群为，晶格常数为4.8336Å，Si原子占据四个顶点，而Ca原子在立方体的6个面心，其制备方法为：以Ca粉和Si粉为原料，Ca粉和Si粉的摩尔比为3.0~3.5:1，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得Ca3Si合金材料，压力为5~15 GPa，合成温度为1200~2000K。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低和产品组分易控制等优势，所得的立方相Ca3Si块状合金，产品纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN108408772A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810390964.X

申请日：2018-04-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  周昊 ,  杨洪雷 ,  熊锐 ,  朱龙鹏

IPC: C01G27/00 ,  C01G23/00 ,  C01B25/00

Abstract: 本发明公开了一种黑磷/过渡金属三硫化物异质结材料的制备方法，采用的技术方案是：采用前驱体混合法制备过渡金属三硫化物的二维纳米薄片，并且采用机械剥离的方法获得二维黑磷纳米薄片，然后将过渡金属三硫化物粉末、黑磷粉末以及有机溶剂搅拌混合均匀，再经离心处理后即可得到黑磷/过渡金属三硫化物异质结。本发明制得的异质结材料以材料间天然的范德瓦尔斯力结合，相比于传统异质结外延生长工艺，更易制备；并且用此类异质结制作的器件相比于目前的块体材料，体积更小、更薄、柔韧性更好、集成度更高，更具有发展潜力。

公开(公告)号：CN106744980A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611025733.6

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  杨洪雷

IPC: C01B33/06

CPC classification number: C01B33/06 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明公开了一种Ca3Si合金材料及其高温高压制备方法，属于合金材料制备领域。所述的Ca3Si合金材料中，Ca和Si的成分摩尔比为3~3.5:1，空间群为，晶格常数为4.8336Å，Si原子占据四个顶点，而Ca原子在立方体的6个面心，其制备方法为：以Ca粉和Si粉为原料，Ca粉和Si粉的摩尔比为3.0~3.5:1，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得Ca3Si合金材料，压力为5~15 GPa，合成温度为1200~2000K。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低和产品组分易控制等优势，所得的立方相Ca3Si块状合金，产品纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN106384811A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610895587.6

申请日：2016-10-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 吴波 ,  彭琼 ,  萨百晟 ,  杨洪雷 ,  胡康明

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/364 ,  H01M4/38 ,  H01M4/5815 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及其制备方法，采用的技术方案是：基于密度函数理论的第一性原理方法计算模拟，筛选蓝磷/过渡金属二硫化物异质结，进一步设计出该异质结的制备方法；其先采用化学气相沉积方法制备过渡金属二硫化物；然后将过渡金属二硫化物、白磷粉末以及有机溶剂搅拌混合均匀，再经离心处理后，然后在真空或者氩气气氛中进行退火处理，得到蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料。本发明制备得到的阳极材料具有良好的结构稳定性、导电性、柔性、较大的锂吸附容量以及良好的电学性能，制备工艺简单，可重复性强，成品率高，成本低，适于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN106319269A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610935975.2

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  杨洪雷

IPC: C22C1/04 ,  C22C24/00 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04

CPC classification number: C22C1/04 ,  B22F3/1007 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/041 ,  B22F2999/00 ,  C22C24/00 ,  B22F2201/20

Abstract: 本发明公开了一种立方相Ca3Si合金及其制备方法，包括以下步骤：（1）将Ca粉和Si粉按比例在Ar保护气氛下混合均匀，得到混合物；（2）将所述混合物，在Ar气保护气氛下放入球磨罐中，将球磨罐密封好，避免氧气进入；（3）将步骤（2）中准备好的球磨罐，放入球磨机中以一定的转速进行球磨，使粉末充分反应，得到均匀的混合粉体；4）将步骤（3）中得到均匀的混合粉体取出，装入所需规格的不锈钢模具中，采用真空等离子烧结的方式进行真空烧结压片，即得立方相Ca3Si片状或块状合金材料。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势，所得的立方相Ca3Si片状或块状合金，产品纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN109950516A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910329993.X

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  陈建辉 ,  孙媛 ,  温翠莲 ,  杨洪雷 ,  张致远

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种InTe/GaS异质结锂离子电极材料的制备方法，其是将InTe/GaS块体混合物溶解后涂覆在铜箔上作为阴极，以锂箔片作为阳极，采用含LiPF6的混合溶液作为电解质，将三者组成电解池，经充分放电一段时间后，将阴极材料经清洗、超声剥离、离心分离获得层状物质，最后将获得的层状物质清洗干燥，即可得到层状的InTe/GaS异质结锂离子电极材料。本发明通过严格控制反应物比例以及反应条件，获得高纯度的InTe/GaS异质结材料，其制备工艺简单，且所得产物具有优异的储锂性能，有望应用于锂离子电池的制备，具有很好的产业化前景。

公开(公告)号：CN106319269B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610935975.2

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  杨洪雷

IPC: C22C1/04 ,  C22C24/00 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明公开了一种立方相Ca3Si合金及其制备方法，包括以下步骤：（1）将Ca粉和Si粉按比例在Ar保护气氛下混合均匀，得到混合物；（2）将所述混合物，在Ar气保护气氛下放入球磨罐中，将球磨罐密封好，避免氧气进入；（3）将步骤（2）中准备好的球磨罐，放入球磨机中以一定的转速进行球磨，使粉末充分反应，得到均匀的混合粉体；（4）将步骤（3）中得到均匀的混合粉体取出，装入所需规格的不锈钢模具中，采用真空等离子烧结的方式进行真空烧结压片，即得立方相Ca3Si片状或块状合金材料。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势，所得的立方相Ca3Si片状或块状合金，产品纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN106480419A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610935012.2

申请日：2016-11-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  熊锐 ,  萨百晟 ,  杨洪雷

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种Ca3Si薄膜的制备方法。在本底真空度为6.5×10-4 Pa，工作气体为高纯Ar气，采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，一靶位放Ca靶，电源选用射频电源；另一靶位放Si单质靶，电源选用直流电源；先镀Ca层，接着镀Si层，以此为一周期；按此周期循环多次，从而得到具有叠层结构的薄膜，最后采用原位热处理获得Ca3Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势，可满足大规模生产需要。

公开(公告)号：CN108218425B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201810070316.6

申请日：2018-01-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  张炜坚 ,  谢秋罕 ,  杨洪雷 ,  张致远

IPC: C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法，其是按比例分别称量Ca粉、Ge粉和Sb粉，然后将其置于有机溶剂中进行超声波振荡，使之充分混合；然后待有机溶剂完全挥发后，经干法成型制成块体；再将其置于氧化铝坩埚内并用Ca粉封填，放入微波真空高温加热炉内，在高纯氩气氛围中，经高温反应得到Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料。本发明通过微波加热，避免了传统烧结过程中晶粒异常长大的现象，最终获得具有超细晶粒结构材料，并实现了材料合成温度的降低，具有较好的应用前景。