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公开(公告)号：CN112385042B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980045788.9
申请日：2019-07-01
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10K39/32 , H01L21/3205 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/779 , H04N25/79
摘要： 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN118339652A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079284.0
申请日：2022-10-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 重歳卓志
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18 , H10B80/00
摘要： 本发明校正半导体装置的不均匀翘曲。根据本发明的半导体装置设置有半导体基板、凹部层和填充膜。在半导体基板上形成半导体元件。凹部层包括不均匀地布置并且具有开口部的凹部，开口部向除了形成有半导体元件的表面以外的同一表面开口。凹部填充有填充膜。基于安装在半导体基板上的子基板的位置、形成在半导体基板上的布线的密度和形成在半导体基板中的贯通电极的布置密度中的至少一个，凹部层中的凹部的密度、宽度、深度和形状中的至少一个可不同。
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公开(公告)号：CN118160096A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072427.5
申请日：2022-10-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 重歳卓志
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/02
摘要： 本发明提高了固体摄像装置的可靠性。所述固体摄像装置包括芯片和透明构件。固体摄像元件形成在芯片上。透明构件通过凸部直接接合至芯片。透明构件的凸部形成为与芯片上的固体摄像元件的摄像区域保持间隙。在半导体基板上可以形成有保护膜，其间介入有防反射膜。可以针对芯片上的固体摄像元件的摄像区域中的各像素形成滤色器或片上透镜。
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公开(公告)号：CN117043927A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280020754.6
申请日：2022-02-18
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 这个半导体器件包括：半导体衬底；布线层，具有电极焊盘并且形成在半导体衬底的第一表面上；再布线层，具有经由通孔电连接至电极焊盘的布线并且形成在与第一表面相对的第二表面侧上；保护膜，形成在与半导体衬底相对的再布线层的表面上；以及分隔部，由绝缘材料形成并且布置在再布线层中的布线之间，其中，分隔部和空隙在布线延伸的方向上交替地形成在布线之间。
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公开(公告)号：CN116583946A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180081593.7
申请日：2021-10-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供一种半导体装置，半导体装置上形成涂布了绝缘膜的贯通孔，其中，半导体装置提高了产量。半导体装置配备有贯通孔、绝缘膜和配线层。关于具有贯通孔、绝缘膜和配线层的半导体装置，贯通孔在与半导体基板的预定面垂直的方向上贯通半导体基板。此外，绝缘膜覆盖贯通孔。此外，配线层包括在绝缘膜的外周和绝缘膜的内周之间的区域中布置在其表面上的伪栅极。
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