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公开(公告)号：CN112640108A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
摘要： 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112385042A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045788.9
申请日：2019-07-01
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L21/3205
摘要： 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN112385042B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980045788.9
申请日：2019-07-01
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10K39/32 , H01L21/3205 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/779 , H04N25/79
摘要： 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN110431667B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880018750.8
申请日：2018-03-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/76
摘要： 本公开涉及能够进一步减少元件布局面积的固态成像元件、电子设备和制造方法。根据本发明，设置在半导体基板的第一面上的光电转换元件通过贯通电极连接到设置在所述半导体基板的第二面上的浮动扩散部和放大晶体管的栅极，所述贯通电极设置在所述半导体基板的所述第一面和所述第二面之间并连接到所述光电转换元件。对于这种像素结构，电介质层设置在所述第二面上的所述贯通电极之间，并且当从所述第二面侧观看时，屏蔽电极设置在电介质层的内侧。所述电介质层形成为比布置在所述第二面侧的所述晶体管的栅极绝缘膜厚。例如，本公开适用于堆叠背面照射型固态成像元件。
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公开(公告)号：CN107251228B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201680011140.6
申请日：2016-02-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 福冈慎平
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/78 , H04N5/374
摘要： 本技术涉及一种便于电荷传递的成像元件、成像装置以及制造设备和方法。本技术的成像元件包含垂直晶体管，所述垂直晶体管的电位在传递光电转换单元的电荷的电荷传递通道的至少一部分中具有梯度。而且，本技术的成像装置包含：成像元件，其包含垂直晶体管，所述垂直晶体管的电位在传递光电转换单元的电荷的电荷传递通道的至少一部分中具有梯度；以及图像处理单元，其对所述成像元件获得的所拍摄的图像数据执行图像处理。而且，本技术的制造设备包含垂直晶体管制造单元，其制造电位在传递光电转换单元的电荷的电荷传递通道的至少一部分中具有梯度的垂直晶体管。本技术可以适用于例如成像元件、成像装置以及制造设备和方法。
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公开(公告)号：CN110088907A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780075694.7
申请日：2017-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L51/42 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。
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公开(公告)号：CN110998850B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880052920.4
申请日：2018-05-22
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , G02B7/34 , G03B30/00 , H04N25/77 , H01L31/02
摘要： 要解决的问题是：提供在能够使像素微小化的同时还能提高检测灵敏度的固态摄像器件和电子设备。解决方案是：提供了固态摄像器件，其包括：基板，所述基板具有被分区成矩阵的像素阵列单元；分别被设置在多个所述分区各者中的多个普通像素、多个相位差检测像素以及多个与所述相位差检测像素邻接的邻接像素。这里，所述普通像素、所述相位差检测像素和所述邻接像素中的各者具有光电转换膜以及在所述光电转换膜的厚度方向上将所述光电转换膜夹在中间的上部电极和下部电极，并且当从所述基板上方观察时，所述邻接像素中的所述下部电极从设置有所述邻接像素的所述分区延伸到设置有与所述邻接像素邻接的所述相位差检测像素的所述分区。
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公开(公告)号：CN110088907B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780075694.7
申请日：2017-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K30/60 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。
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公开(公告)号：CN111052736B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201880052831.X
申请日：2018-05-21
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N9/07 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
摘要： [问题]为了提供可以实现相位差检测像素的固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子设备，该相位差检测像素在堆叠有多个光电二极管的结构中在能够实现像素的小型化的同时还能够提高拍摄图像的质量。[解决方案]提供了一种固态摄像元件，其包括多个像素，所述多个像素包括至少两个用于焦点检测的相位差检测像素，其中，各个所述像素具有包括多个光电转换元件的堆叠结构，所述多个光电转换元件彼此堆叠并且吸收波长彼此不同的光以生成电荷，并且在所述相位差检测像素具有的所述堆叠结构中，设置有滤色器，所述滤色器部分地覆盖所述多个光电转换元件中的任意一个光电转换元件的上表面并且吸收特定波长的光。
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公开(公告)号：CN111052736A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052831.X
申请日：2018-05-21
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N9/07 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
摘要： [问题]为了提供可以实现相位差检测像素的固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子设备，该相位差检测像素在堆叠有多个光电二极管的结构中在能够实现像素的小型化的同时还能够提高拍摄图像的质量。[解决方案]提供了一种固态摄像元件，其包括多个像素，所述多个像素包括至少两个用于焦点检测的相位差检测像素，其中，各个所述像素具有包括多个光电转换元件的堆叠结构，所述多个光电转换元件彼此堆叠并且吸收波长彼此不同的光以生成电荷，并且在所述相位差检测像素具有的所述堆叠结构中，设置有滤色器，所述滤色器部分地覆盖所述多个光电转换元件中的任意一个光电转换元件的上表面并且吸收特定波长的光。
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