一种液态聚碳硅烷的制备方法

    公开(公告)号:CN109485857A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811249949.X

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种液态聚碳硅烷的制备方法,采用六甲基二硅氮烷与氯甲基三氯硅烷进行部分氨解,再与不饱和氯烷烃与氯甲基氯硅烷一起进行格式偶联反应,反应完全之后加入一定量的NaBH4(硼氢化钠)还原剂进行还原,所得物料加入石油醚、去离子水和浓盐酸进行酸洗、萃取,所得石油醚溶液采用NaOH进行干燥,过滤后将石油醚采用减压蒸馏的方法蒸出,得到的淡黄色粘稠液体即为液态聚碳硅烷。制备的液态聚碳硅烷流动性好,具有良好的加工性能,可直接进行热聚合,陶瓷产率在70%以上。陶瓷中自由碳含量低,SiC陶瓷相纯度高,适于作为高性能SiC陶瓷前驱体,可用于超高温陶瓷基复合材料浸渍基体,亦可用于SiC陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备。

    一种陶瓷基复合材料光固化成型方法

    公开(公告)号:CN118754690A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410848724.5

    申请日:2024-06-27

    Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料制备技术领域。本发明具体涉及一种陶瓷基复合材料光固化成型方法,该方法利用紫外光固化陶瓷前驱体在浸渍后的复合材料表面制备防护层,通过控制防护层的厚度,控制复合材料中浸渍基体的挥发速率。该防护层主要作用是减少复合材料高温裂解过程中浸渍基体中的小分子挥发,提升了复合材料的固化效率,简化了固化工艺,有效提升了陶瓷基复合材料的制备效率。

    高铝含量、低氧含量的聚铝碳硅烷、制备方法及SiAlC陶瓷

    公开(公告)号:CN114015057A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111257973.X

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 本发明公开了一种高铝含量、低氧含量的聚铝碳硅烷的制备方法,采用液态超支化液态聚碳硅烷和甲基铝氧烷为原料,在密闭惰性条件下,制得聚铝碳硅烷,通过调节原料的配比,即可实现聚铝碳硅烷中铝元素含量的调节;本发明还公开了一种基于上述方法制得的聚铝碳硅烷,铝元素质量百分比含量可为0~20%,氧元素质量百分比含量小于2%;本发明还公开了一种基于上述聚铝碳硅烷高温裂解后得到的SiAlC陶瓷,SiAlC陶瓷中Si、Al、C元素组成可调,且具有优异的耐高温及抗氧化性能,可用于PIP法制备耐超高温C/SiAlC陶瓷基复合材料,亦可用于超高温抗氧化涂层、纤维的制备。

    一种陶瓷基复合材料/环境障涂层粘结层一体化制备方法

    公开(公告)号:CN119551988A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411683698.1

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基复合材料/环境障涂层粘结层一体化制备方法,通过浸渍‑固化‑裂解工艺处理,在复合材料制备过程中引入EBC粘结层,避免复合材料再次经历高温,保证了复合材料的力学性能,提升了涂层的制备效率;采用含硅硼的陶瓷前驱体,在复合材料表面制备SiBCX陶瓷涂层,形成热膨胀系数与复合材料接近的EBC涂层粘结层。采用陶瓷前驱体制备粘结层,可以有效避免粘结层的热不匹配,提高环境障涂层的耐温等级,同时也可提升环境障涂层的制备效率。

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