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公开(公告)号：CN108203834B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810024577.4
申请日：2018-01-10
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种三元复合硅基光电极及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一硅片，刻蚀在硅片表面形成纳米结构；S2、采用滴液法将量子点二硫化钼分散液分散到硅片表面，在硅片表面形成量子点二硫化钼；S3、在硅片表面继续沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到三元复合硅基光电极。本发明采用两步法分别沉积量子点二硫化钼与活性薄膜层，能够将开路电压由0V以下提高到0.4V以上，量子点二硫化钼可以促进光生载流子分离而又不影响光吸收，活性薄膜层则能够降低硅片/溶液界面的阻抗，进一步提高光电化学转换性能。
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公开(公告)号：CN106374000A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610963328.2
申请日：2016-10-28
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425
摘要： 本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一硅片；S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗，再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应，最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应，在硅片表面进行制绒；S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗，然后放入金属盐溶液中反应，将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应，对硅片表面的绒面进行刻蚀；S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层，可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能，大大提高了光电器件的光开路电压，能够增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102407107B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110354462.X
申请日：2011-11-10
申请人： 苏州大学
IPC分类号： B01J23/42 , C02F1/32 , C02F103/30
摘要： 本发明涉及一种金属/TiO2复合多层膜光催化剂及其制备方法，其包括下述步骤：(1)将载体放置于真空反应腔内，将真空反应腔内的压力控制在第一压力范围；(2)向真空反应腔内通入氩气并将真空反应腔内的压力控制在第二压力范围；(3)通过磁控溅射法于所述载体表面分别沉积第一TiO2薄膜层、Pt薄膜层和第二TiO2薄膜层，从而获得三层膜结构的光催化剂；(4)将步骤(3)中获得的光催化剂在空气中进行烧结，然后自然冷却到室温。本发明的有益效果是：催化活性高、成本低。
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公开(公告)号：CN117783160A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311752437.6
申请日：2023-12-19
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N1/28
摘要： 本发明涉及一种范德华单晶TEM样品及其制备方法与应用，属于TEM技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、采用机械剥离法获得块状单晶范德华材料并转移到基材上；S2、在块状单晶范德华材料上旋涂聚合物溶液，经固化得到复合膜；S3、将复合膜转移到铜网上，溶解掉聚合物溶液，得到范德华单晶TEM样品。本发明的制备方法采用的溶剂只有水，操作更为简单，相较于现有技术也更为简单安全。另一方面用到的材料非有机材料，对环境友好，且对生物实验和测试更加安全友好。采用透明的转移材料，易于观察并转移薄层样品，可以满足不同厚薄的样品需求。
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公开(公告)号：CN110656350B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911108265.2
申请日：2019-11-13
申请人： 苏州大学
IPC分类号： C25B11/053 , C25B11/091 , C25B1/55 , C25B1/04 , C23C28/04 , C23C18/12 , C23C16/34
摘要： 本发明揭示了一种铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法，所述制备方法包括：S1、提供一导电基片；S2、在导电基片表面制备铁电薄膜，得到铁电薄膜光电极；S3、在铁电薄膜表面制备氧化钛薄膜；S4、通过化学气相沉积法在氧化钛薄膜表面负载石墨相氮化碳，得到铁电薄膜三元复合光电极。本发明采用三步法制备铁电薄膜三元复合光电极，工艺简单，成本较低，便于大规模制备；三元复合光电极能够最大程度上提高光电极与电解液间载流子传输性能，提高光电转化效率，光电流密度能从15μA/cm2提高到70μA/cm2。
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公开(公告)号：CN108624899A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810493087.9
申请日：2018-05-22
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一基片，在基片上形成反蛋白石结构铁酸铋晶体，得到铁酸铋光电极；S2、采用滴液法将石墨烯量子点溶液分散到铁酸铋光电极表面，在铁酸铋光电极表面形成第一催化层；S3、在铁酸铋光电极表面继续沉积金属层或金属化合物层，在铁酸铋光电极表面形成第二催化层，得到反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极。本发明采用两步法分别沉积石墨烯量子点与金属纳米颗粒，工艺简单，成本较低，便于大规模使用；两步沉积得到的反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极能够将光电流由0.5μA/cm2提高到3.5μA/cm2，两层催化层能够较大程度的提高效率又不会作为影响光吸收的因素，且能够降低溶液与铁酸铋接触面的阻抗。
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公开(公告)号：CN108203834A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201810024577.4
申请日：2018-01-10
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种三元复合硅基光电极及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一硅片，刻蚀在硅片表面形成纳米结构；S2、采用滴液法将量子点二硫化钼分散液分散到硅片表面，在硅片表面形成量子点二硫化钼；S3、在硅片表面继续沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到三元复合硅基光电极。本发明采用两步法分别沉积量子点二硫化钼与活性薄膜层，能够将开路电压由0V以下提高到0.4V以上，量子点二硫化钼可以促进光生载流子分离而又不影响光吸收，活性薄膜层则能够降低硅片/溶液界面的阻抗，进一步提高光电化学转换性能。
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公开(公告)号：CN101915878A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231417.0
申请日：2010-07-16
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种铁电薄膜退极化时间的测量方法，其特征在于：包括下列步骤：(1)在铁电薄膜上分别设置上电极和下电极，构成金属/薄膜/金属电容器结构，将测量系统置于电磁屏蔽罩及暗室中；(2)在上述电容器结构上施加外加电场；(3)撤除外加电场，等待时间间隔T后，用光源从薄膜上方照射样品表面，采集记录光电流随时间的变化曲线；(4)从0开始逐渐增大时间间隔T，重复上述步骤(2)和(3)，分别记录在不同的时间间隔T下的光电流变化曲线，至光电流变化曲线中的峰值电流不再发生变化时停止；(5)光电流变化曲线中的峰值电流达到最小时的时间间隔T，即为该铁电薄膜的退极化时间。本发明的方法能测量铁电薄膜的退极化时间，解决了现有技术中不能表征退极化快慢的问题。
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公开(公告)号：CN208271855U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820805246.X
申请日：2018-05-28
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种单面制绒花篮及单面制绒装置，所述单面制绒花篮包括平行设置的支撑杆、以及固定安装于支撑杆之间的若干连接板，所述支撑杆内设有第一气道，连接板内设有第二气道，所述第一气道和第二气道相连通设置，且第二气道延伸至连接板的表面。本实用新型中的单面制绒花篮及单面制绒装置结构简单、控制方便，通过控制气道内的负压气压即可实现硅片与连接板的贴附，从而实现硅片的单面制绒，大幅提高了产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN211576953U
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201922005981.X
申请日：2019-11-19
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G01N21/552 , G01N21/01 , B81C1/00
摘要： 本实用新型揭示了一种表面等离激元共振装置及吸水量检测系统，表面等离激元共振装置包括：衬底、位于衬底上的金属膜和位于金属膜上的高分子薄膜，所述高分子薄膜上设置有若干阵列分布的表面等离激元谐振腔，所述高分子薄膜在不同吸水量条件下的厚度不同。本实用新型中的表面等离激元共振装置用于检测高分子水凝胶的定向溶胀，结合表面等离激元共振(SPR)，实现了密闭湿度环境内吸水量的原位无损检测，其应用范围较传统的湿度计和湿度指示硅胶有了明显的扩展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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