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公开(公告)号：CN109701162A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811527813.0
申请日：2018-12-13
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： A61N5/00
摘要： 本发明提出一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置及其构建方法，基于介质透镜的聚焦原理来研究辐照腔内效应物内部场强局部聚焦，采用在辐照腔上、下两个平行板的内侧分别放置一定尺寸及一定介质参数的两个介质透镜，靠近介质透镜的效应物内测点的场出现局部增强，并且场强聚焦点与透镜聚焦点并非同一坐标位置(两个位置相近)。本发明克服了实现频率为0～200MHz左右场强聚焦的单凸透镜尺寸过大的技术难题，提高了靠近介质透镜的效应物内部测点的场强，达到了效应物内部测点的局部聚焦效果。
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公开(公告)号：CN103715937B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310676093.5
申请日：2013-12-12
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H02M9/04
摘要： 本发明涉及两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源，其特征在于：磁饱和脉冲变压器ST1和电容C1、C2构成一个次级倍压电路，磁饱和脉冲变压器ST2和电容C3、C4构成另一个次级倍压电路；次级倍压电路的两个次级电容C1和C2，C3和C4串联后形成两倍充电电压输出，两个倍压电路串联后四个串联电容C1、C2、C3和C4形成接近四倍电压输出。一种磁脉冲压缩源，输入单元是磁饱和脉冲变压器ST1和ST2的初级回路；磁脉冲压缩单元为两个包含磁饱和脉冲变压器的次级倍压电路的串联输出回路；输出单元是基于半导体断路开关（SOS）的脉冲产生回路。优点在于：效率不受影响，克服了现有技术通过增加脉冲压缩级数提高输出电压导致的系统效率下降问题。
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公开(公告)号：CN104465852A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410685686.2
申请日：2014-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0312 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0312 , H01L31/0352
摘要： 本发明涉及一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，解决了现有技术中开关寿命短、损耗大、最高工作电压受限等问题，其技术方案是构建一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，包括半绝缘基区i层、重掺杂n+层、重掺杂p+层、阳极金属层、阴极金属层、钝化保护层、通光孔和电极引线；半绝缘基区i层分别位于重掺杂n+层、重掺杂p+层之间，重掺杂n+层的上表面为阳极金属层；重掺杂p+层的下表面为阴极金属层，金属层上开有通光孔，使激光脉冲通过通光孔触发开关工作，阴极金属层直接与外电路连接，阳极金属层通过电极引线与外电路连接。该发明提高了开关的工作电压，减少了开关的损耗，并且提高了开关的寿命，从而提高了开关的整体性能。
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公开(公告)号：CN205304753U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201520953601.4
申请日：2015-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K4/02
摘要： 本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本实用新型基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。
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