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    光电测距装置和测距方法
    4.
    发明授权
    光电测距装置和测距方法 有权

    公开(公告)号：CN105445748B

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：CN201510599659.8

    申请日：2015-09-18

    申请人： 赫克斯冈技术中心

    发明人： J·辛德林 ,  J·辛格

    IPC分类号： G01S17/08

    CPC分类号： G01C3/08 ,  G01C15/002 ,  G01S7/4816 ,  G01S7/4817 ,  G01S7/4861 ,  G01S7/4868 ,  G01S17/08 ,  G01S17/10 ,  G01S17/42 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107

    摘要： 本发明涉及光电测距装置和测距方法，该光电测距装置包括：光源(6)；接收电路，其包括具体为雪崩光电二极管APD(8S)的检测器；以及控制和估计组件，其用于导出距目标物体(20)的距离。根据本发明，检测器具有用于相互独立地生成各自所得电信号的至少两个相互独立的接收段(S1、S2、S3、S4、S5、S1i、S2a、S2al、S2ar、Sj)，其中，接收段(S1、S2、S3、S4、S5、S1i、S2a、S2al、S2ar、Sj)被指配给要测量的预定或者可预定的具体地不同的距离范围。而且，在接收电路的背景下，具体地具有不同增益系数的至少两个独立放大器被设置用于至少两个接收段(S1、S2、S3、S4、S5、S1i、S2a、S2al、S2ar、Sj)。

    AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法
    5.
    发明公开
    AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法 无效

    公开(公告)号：CN108493301A

    公开(公告)日：2018-09-04

    申请号：CN201810463058.8

    申请日：2018-05-15

    申请人： 南京大学

    发明人： 陈敦军 ,  游海帆 ,  张荣 ,  郑有炓

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/107

    CPC分类号： H01L31/1848 ,  H01L31/107

    摘要： 本发明公开了一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：在AlGaN APD器件样品表面制作厚的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成极小的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上；5)去胶：去除残留光刻胶。本发明提供的方法具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。主要体现在以下两个方面：一方面，通过对光刻胶后烘温度和时间的控制，可实现对掩蔽层图形倾斜角度控制的精确控制；另一方面，通过调节掩蔽层的刻蚀工艺参数，也可在AlGaN基材料中获得具有不同倾斜角度的侧壁。

    光电转换器、探测器及扫描设备
    6.
    发明授权
    光电转换器、探测器及扫描设备 有权 质押 许可

    公开(公告)号：CN105655435B

    公开(公告)日：2018-08-07

    申请号：CN201410648328.4

    申请日：2014-11-14

    申请人： 苏州瑞派宁科技有限公司

    发明人： 谢庆国 ,  朱俊 ,  牛明 ,  王璐瑶

    IPC分类号： H01L31/107 ,  G01T1/202

    CPC分类号： H01L31/107 ,  G01T1/1642 ,  G01T1/248

    摘要： 种光电转换器,其包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导,硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接而成,i和j都是大于或等于2的整数。种探测器,其包括闪烁晶体、电子学系统、光导、硅光电倍增管。种扫描设备,其包括探测装置和机架,所述探测装置包括探测器,所述探测器包括所述的光电转换器。本发明主要采用硅光电倍增管的光电转换方案,因为硅光电倍增管体积小巧,排列紧实,适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后,可搭建高空间分辨率的PET探测器,最终提高整个PET系统的空间分辨率,并且很适合搭建具有DOI和TOF性能的PET探测器,能用于PET/MRI、成本低廉。