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公开(公告)号：CN118507226A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410862537.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高绝缘强度低耦合电容的高频变压器结构及隔离栅极驱动器，包括铁氧体磁芯、变压层、固定夹片、引出原副边绕组的金属引脚和外壳，两个固定夹片平行相对设置，变压层固定于两个固定夹片之间，铁氧化磁芯竖直嵌设于变压层中，变压层包括交错平行放置的绕组层和多个绝缘夹层，铁氧化磁芯的两端伸出金属引脚与绕组层焊接，金属引脚用于引出原副边接线端子，外壳套设于固定夹片外侧，且外壳与固定夹片之间的缝隙灌封有硅凝胶。本发明通过多片PCB分离原副边绕组，采用PTFE绝缘与硅凝胶灌封的方式，提高变压器的绝缘强度，减少变压器的原副边耦合电容，提升了模块整体的绝缘性能与高频性能。
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公开(公告)号：CN118228656A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410378594.3
申请日：2024-03-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本发明公开了一种适用于中高压碳化硅功率模块的芯片邻域电场等效模型及建模方法，包括DBC子结构模型、芯片子结构模型和灌封材料子结构模型；所述DBC子结构模型包括第一、第二金属层和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的上层和下层分别为第一和第二金属层；所述芯片子结构模型包括第三、第四金属层和第二、第三、第四、第五、第六绝缘介质，第三金属层左上层为第二绝缘介质层，第三和第四绝缘介质层位于第二绝缘介质层内部，第三绝缘介质层左上层设置有第四金属层，第三金属层和第二绝缘介质层上层分别设置有第五和第六绝缘介质层；所述灌封材料子结构模型为第七绝缘介质层。本发明求解效率高，对不同封装结构适用性较好，有利于结构的高效优化。
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公开(公告)号：CN116314170A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074662.2
申请日：2023-01-28
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
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公开(公告)号：CN116072660A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310077150.1
申请日：2023-01-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET多芯片并联子单元压接封装结构，包括双面DBC陶瓷板、弹性组合、栅极钼片端子、源极钼片端子、漏极钼片端子、单面DBC陶瓷板、SiC MOSFET芯片和散热器，多个SiC MOSFET芯片均与单面DBC陶瓷板表面连接，且露出SiC MOSFET芯片表面的栅极和源极；SiC MOSFET芯片的漏极电极与单面DBC陶瓷板相连，SiC MOSFET芯片的栅极电极分别通过四个栅极钼片端子引出，漏极钼片端子与单面DBC陶瓷板连接，栅极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的栅极部分连接，源极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的源极部分连接；单面DBC陶瓷板和双面DBC陶瓷板均采用Al2O3材料制成。本发明解决了传统层叠型封装无法适应硅器件的高温、高压、高频等要求的问题。
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