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公开(公告)号：CN102936153A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210480633.8
申请日：2012-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯形状不规则，需要先图形化后，才可制成晶体管且过程复杂，生产率低的问题。其实现步骤是：首先在Si衬底上生长一层碳化层作为过渡；然后进行3C-SiC薄膜异质外延生长；再在3C-SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上光刻出图形窗口；然后将裸露的3C-SiC与气态CCl4反应，生成碳膜；再将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除图形以外的SiO2；再在碳膜上利用PVD法镀一层Cu膜；将它们一同置于Ar气中退火，生成图形化石墨烯；最后去除Cu膜。本发明制备的图形化石墨烯产量大，分布均匀，不用进行刻蚀就可直接进行电极沉积等工艺步骤，制成半导体元器件。
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公开(公告)号：CN106910794A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710153393.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明氧化锌材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加了器件的受光面积，提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。
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公开(公告)号：CN103165470A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310039822.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，其实现步骤是：(1)在Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在碳化层上生长3C-SiC薄膜；(3)在3C-SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上光刻出侧栅结构晶体管图形窗口；(4)将光刻后裸露的3C-SiC与Cl2反应，生成碳膜；(5)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(6)在碳膜样片上电子束沉积一层Ni膜；(7)将淀积有Ni膜的碳膜样片置于Ar气中，在900-1100℃下退火15-30min，使碳膜在重构成侧栅石墨烯；(8)在石墨烯样片上淀积金属Pd/Au层，并采用RIE刻蚀成侧栅晶体管的侧栅极、源极、漏极金属接触。本发明制作出的侧栅石墨烯晶体管保证了石墨烯的迁移率，能有效控制器件的沟道载流子浓度，同时避免栅介质引起的散射效应。
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公开(公告)号：CN103077893A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310039656.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其实现步骤是：先对清洗SiC样片；再在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上光刻出侧栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过气态CCl4与SiC反应，生成碳膜；然后将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；再碳膜样片上淀积一层Ni膜，并置于Ar气中退火，生成侧栅的石墨烯；最后在石墨烯样片上淀积金属Pd/Au层并刻蚀成侧栅晶体管的金属接触。本发明制作出的侧栅石墨烯晶体管载流子迁移率高，并且能有效的抑制散射效应，提高石墨烯晶体管栅极对沟道载流子浓度的调制作用。
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公开(公告)号：CN102674328A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210158541.8
申请日：2012-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1100℃-1250℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口以外的SiO2；再将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Cu膜上，将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-25min生成双层结构化石墨烯。本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102653401A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210158388.9
申请日：2012-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(5)将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，以在窗口位置处生成双层结构化石墨烯。本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
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公开(公告)号：CN106910794B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201710153393.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明氧化锌材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加了器件的受光面积，提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。
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公开(公告)号：CN106910795A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710154172.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；所述上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明铟锡氧化物材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加器件的受光面积，本发明提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。
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公开(公告)号：CN105845746B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610203362.X
申请日：2016-04-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。
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公开(公告)号：CN106169514A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610565310.7
申请日：2016-07-18
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/08 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法。该光导开关，包括掺钒碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中掺钒碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该掺钒碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积有上氮化硅层(7)，掺钒碳化硅衬底(1)的下表面淀积下氮化硅层(8)，用于减少入射光在表面的反射，增加器件的耐压能力；该掺钒碳化硅衬底(1)的上部开有上凹槽(3)，掺钒碳化硅衬底(1)的下部开有下凹槽(4)，一对欧姆接触电极(5,6)分别嵌在这两个凹槽中。本发明具有边缘击穿少，载流子收集率高等优点，可用于高功率脉冲系统中。
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