公开(公告)号：CN110993505A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910975090.9

申请日：2019-10-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  于淼 ,  余建刚 ,  王卓

IPC: H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(InxGa1-x)2O3缓冲层；在所述(InxGa1-x)2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(InxGa1-x)2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在(InxGa1-x)2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。

公开(公告)号：CN116155666A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310170659.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 于淼

IPC: H04L27/00 ,  G06F18/24 ,  G06F18/213 ,  G06F18/2411 ,  G06F17/16 ,  G06F17/14 ,  G06F17/11 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种基于功率谱密度相关参数的帧类型识别方法，有效实现了帧类型的识别。技术方案为：1)接收信号预处理并设置初始化参数，构建特征数据库；2)初始化战术数据链中帧类别；3)将待测信号特征与数据库中特征进行匹配，更新适应度值得到最优帧类别；4)判断算法是否满足终止条件；若满足，则继续，否则，返回到3)更新参数；5)获取机器学习最优模型参数；6)采用最优参数进行训练建模；7)对测试样本进行检测；本发明选取的功率谱相关特征参数分辨率高，能实现较为准确的帧类型识别，且无需先验信息，适用于非合作信号识别场景。