一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法

    公开(公告)号:CN111934065B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202010621279.0

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法,该圆波导旋转关节包括:第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、滚珠、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔;第一圆波导末端设置有金属凸体阵列,金属凸体阵列中每个金属凸体上内嵌一个滚珠;第二圆波导末端依次设置有屏蔽腔和轴承固定腔;第一圆波导的末端插入屏蔽腔内,第一圆波导与第二圆波导的波导端口面不接触;滚珠与屏蔽腔以间隙配合形式相接触,配合轴承构成圆波导旋转关节。本发明中,旋转部位通过构建滚珠支撑结构的宽带电磁带隙结构,在保证旋转关节宽带特性的同时具有一定的抗磨损性能,且提高了功率容量和力学结构可靠性,可广泛应用于各种通信、雷达及天线馈电系统中。

    一种微波低气压放电的分析方法

    公开(公告)号:CN113919191A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110988305.8

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法,针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点,采用时域有限差分法精确计算微波场分布,再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程,能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度,通过流体算法,解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。

    一种无法兰波导连接结构及设计方法

    公开(公告)号:CN110492204A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910717920.8

    申请日:2019-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种无法兰波导连接结构,包括阳连接部和阴连接部,阳连接部包括第一波导和周期性金属凸体阵列,其中周期性金属凸体阵列设置于第一波导的末端外壁四周表面,若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列;阴连接部包括第二波导和扩大腔体结构,其中扩大腔体结构设置于第二波导的末端,阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中,形成无法兰波导连接结构整体。本发明所提无法兰波导连接结构相比传统波导法兰,体积大幅缩小,更加有利于结构布局,且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。

    一种无源互调抑制同轴连接器

    公开(公告)号:CN107104332B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201710179476.X

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器,该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层,使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触;阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层,使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制,具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点,满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求,具有广泛的工程应用前景。

    一种低无源互调波导法兰及设计方法

    公开(公告)号:CN108649306A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810267061.2

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明公开一种低无源互调波导法兰及设计方法,通过在常规法兰面上设计周期性金属凸体,与另一法兰面以一定间距排列构成非接触结构,通过对金属凸体尺寸及法兰间距等参数进行设计计算,获得合适的电磁禁带特性,实现对法兰间隙中电磁波泄露的抑制,结合机械连接结构形成内部非接触的波导法兰。本发明所提低无源互调波导法兰,通过构造非接触电磁带隙结构,在不影响波导间电磁波传输的前提下实现了法兰内部非接触,消除了接触非线性,有效抑制了无源互调效应,且降低了对材料、电镀、加工及装配工艺的要求。同时本发明所提低无源互调波导法兰具有很宽的工作带宽,可完全覆盖相应的波导工作带宽,可应用于各种大功率低互调微波部件及测试系统中。

    确定微波部件宽功率变化范围高阶无源互调电平的方法

    公开(公告)号:CN106093645A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610437928.5

    申请日:2016-06-17

    CPC classification number: G01R31/001

    Abstract: 本发明涉及确定微波部件宽功率变化范围高阶无源互调电平的方法,首先对微波部件3阶无源互调电平的测量值对载波功率之和进行多项式拟合,基于拟合后的3阶无源互调电平随载波功率之和的变化曲线,以载波功率之和的最小值向更小取整为起始功率,以载波功率之和的最大值向更大取整为终点功率,以待预测高阶无源互调的载波功率为中心,依次采用奇数个功率及互调电平测量值对3阶无源互调电平随功率变化关系的幂级数展开式进行参数估计,从而实现对高阶无源互调电平的预测,该方法实现微波部件宽功率变化范围高阶无源互调的准确预测,为后续型号在高阶无源互调测试系统不具备条件下微波部件高阶无源互调电平的评估提供了有效手段。

    一种紧凑型无法兰波导连接结构及设计方法

    公开(公告)号:CN110718729B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201910718691.1

    申请日:2019-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种紧凑型无法兰波导连接结构,阳连接部包括第一标准波导、第一阻抗变换段、第一非标波导段和周期性金属凸体阵列,其中第一阻抗变换段位于第一标准波导与第一非标波导段之间,周期性金属凸体阵列设置于第一非标波导段的外壁四周,若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列;阴连接部包括第二标准波导、第二阻抗变换段和扩大腔体结构,第二阻抗变换段位于第二标准波导与扩大腔体结构之间,扩大腔体结构设置于第二阻抗变换段的末端;阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中,形成紧凑型无法兰波导连接结构整体。本发明体积大幅缩小,更加有利于小型化设计和灵活布局,且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。

    一种紧凑型无法兰波导连接结构及设计方法

    公开(公告)号:CN110718729A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910718691.1

    申请日:2019-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种紧凑型无法兰波导连接结构,阳连接部包括第一标准波导、第一阻抗变换段、第一非标波导段和周期性金属凸体阵列,其中第一阻抗变换段位于第一标准波导与第一非标波导段之间,周期性金属凸体阵列设置于第一非标波导段的外壁四周,若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列;阴连接部包括第二标准波导、第二阻抗变换段和扩大腔体结构,第二阻抗变换段位于第二标准波导与扩大腔体结构之间,扩大腔体结构设置于第二阻抗变换段的末端;阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中,形成紧凑型无法兰波导连接结构整体。本发明体积大幅缩小,更加有利于小型化设计和灵活布局,且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。

    一种低无源互调波导法兰转换装置

    公开(公告)号:CN110137633A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910329798.7

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明公开一种低无源互调波导法兰转换装置,通过构造双面周期性金属单元阵列,结合机械支撑结构,在普通波导法兰面之间形成具有双面空气间隙的非接触过渡连接。通过特定步骤确定周期性金属单元的结构形式、尺寸及空气间隙尺寸,获得合适的电磁禁带特性,保证电磁波无法从空气间隙中泄露,不影响电磁波正常传输的同时,实现波导过渡连接的内部非接触化,大幅消除了传统波导法兰连接的金属接触非线性,实现低无源互调性能。本发明所提转换装置无需改变原波导法兰结构,即可实现低无源互调过渡转换,具有较好的通用性。同时本发明所提装置具有宽带工作特性,可完全覆盖相应的波导工作带宽,可以应用于各种大功率低互调微波部件及测试系统中。

    一种基片集成式低无源互调波导法兰垫片

    公开(公告)号:CN110085951A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910329837.3

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 一种基片集成式低无源互调波导法兰垫片,通过构造基片集成式的双面周期性金属单元阵列,结合外层支撑结构,在传统波导法兰之间构成双面无金属接触的过渡连接结构,通过特定步骤确定关键结构尺寸,获得合适的电磁禁带特性,保证电磁场沿波导正常传输而不泄露,进而代替传统波导法兰连接的金属面接触,大幅消除了金属接触非线性,实现低无源互调性能。本发明所提垫片结构无需改变原波导法兰结构,即可实现低无源互调过渡连接,且通过基片集成方式可以实现小型轻薄化和高度灵活性,在低频至高频范围内均可实现与标准波导法兰面的尺寸匹配。可以实现低成本、通用批量化,可应用于各种低无源互调需求的大功率微波部件、系统以及测试系统中。

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