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公开(公告)号：CN102679253A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210115778.8
申请日：2012-04-19
Applicant: 重庆大学
IPC: F21S8/10 , F21V13/04 , F21V7/06 , F21W101/02 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED远光灯光学系统，包括LED光源、基座、反光杯和光学透镜，基座用于固定LED光源、反光杯和光学透镜，使LED光源、反光杯和光学透镜构成一个封闭的腔体，LED光源发出的光线经过反光杯反射后形成近似平行光，并利用光学透镜的折射产生远光。本发明采用的光学系统，不仅可以在25m配光屏幕上产生满足标准规定的远光的光照度分布，还能大大提高系统的光学效率；反光杯为规则曲面构成而非自由曲面，便于加工实现；通过合理的设计可以将光学透镜兼做灯具保护外壳，避免需要多的玻璃外壳而造成光能的损失。
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公开(公告)号：CN118783481A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410483598.8
申请日：2024-04-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种交流励磁抽水蓄能机组参与电网调频的二分段控制方法，属于抽水蓄能机组领域。该方法首先通过检测系统的最大频率变化率，估计系统的功率缺额和交流励磁抽水蓄能机组的稳态功率参考值；然后通过在线整定机组的导叶开度指令和下垂控制系数完成第一阶段的调频任务；最后通过实时检测机组的功率和转速值，求取调频后期的附加功率指令以实现调频。本发明能够有效利用备用功率参与调频，从而提高交流励磁抽水蓄能机组的调频能力，并改善系统的最大频率偏差和稳态频率偏差，保证系统的频率安全。
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公开(公告)号：CN117973135A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410163886.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F17/10 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种基于数字孪生的SiC MOSFET器件热分布实时监测方法，属于功率半导体器件领域，包括以下步骤：S1：对SiC MOSFET器件进行有限元建模，将多物理场有限元模型的边界条件作为训练数据，所述边界条件为功率损耗；S2：构建数字孪生体，利用所述训练数据进行训练；S3：通过电流传感器和电压传感器采集SiC MOSFET器件的电流和电压数据，输入数字接口计算功率损耗；S4：数字接口将计算的功率损耗输入数字孪生体，计算焊料层的温度分布。
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公开(公告)号：CN115072531B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210723836.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种提升电梯永磁同步曳引机封星转矩方法，属于电梯技术领域。该方法包括：计算永磁同步曳引机封星条件下转矩‑转速关系曲线，找到最大转矩点，通过串联电容器的方式增大永磁同步曳引机的封星转矩；根据永磁同步曳引机运行时的最高转速与额定转矩，选择合适的电容值，使得封星转矩‑转速关系曲线的最大转矩点的转速前移或后移，从而使封星条件下的转矩与转速符合要求。该方法在不改变电机本体结构的条件下，实现了封星转矩的提升，且利用电机封星接触器可以轻松引入串联电容，在成本较小的情况下提升了电梯的安全性，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN112597678B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011478877.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件微动磨损失效演化的数值模拟方法，属于半导体器件领域。该建模方法包括压接型IGBT器件微动磨损失效模拟，建立含接触层微动磨损的压接型IGBT器件等效模型，通过设置接触面磨损损耗，进而模拟压接型IGBT器件微动磨损失效过程；压接型IGBT器件有限元建模，建立压接型IGBT器件结构模型，其中IGBT芯片包含铝镀层，设置微动磨损深度超过IGBT芯片表面铝镀层厚度，引起栅氧层失效作为仿真失效断点。本发明通过设置接触面磨损损耗，模拟了压接型IGBT器件在微动磨损失效动态过程中特征参数的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113162042B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110501079.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 重庆大学
IPC: H02J3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于频带能量的MMC系统中MPPF电容器失效评估方法，首先获取待评估电容的电容输出电压；然后使用傅立叶分析对输出电压信号进行频域分析，得到频谱信号；再计算频域信号的功率谱；并对电容器输出电压功率谱的高频域段进行积分得到输出电压高频带能量；根据高频带能量计算电容失效度D；最后根据电容失效度D判断电容是否失效。本发明根据ESR值越大，电容输出电压高频带能量越大的关系，利用MMC中已有电容电压信号进行频带能量分析，得出电容器当前ESR变化情况，进而判断电容器当前失效状态，无需增加额外传感器即可实现电容器失效检测，避免投入额外成本。
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公开(公告)号：CN113447175A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110725760.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。
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公开(公告)号：CN112885797A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110062006.1
申请日：2021-01-18
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体器件生产技术领域。涉及一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法，其中低接触热阻压接型半导体器件结构，包括多个压接元件，相邻两个压接元件之间设有高热导率、电导率的填充层；低接触热阻压接型半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第一步，将液态金属热界面材料均匀喷涂在各压接元件表面；第二步，将各压接元件按半导体器件结构组装并放置在固定夹具中；第三步，采用步进式加压法对半导体器件进行封装。本发明中半导体器件具有高热导率、电导率的优点，采用的制作方法具有工艺过程简单，经济成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN108090301B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810008176.X
申请日：2018-01-04
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/30 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参数，计算每层材料疲劳失效的循环次数；最后，计算器件中每层材料的疲劳寿命和故障率，建立单芯片压接式IGBT器件的可靠性计算模型，获取压接式IGBT器件故障率等可靠性指标。本发明提供一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法，充分考虑了压接式IGBT器件中不同材料属性寿命对器件可靠性的影响，提高了压接式IGBT器件可靠性计算准确性，可广泛用于压接式IGBT器件的可靠性设计和薄弱环节评估。
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公开(公告)号：CN112630596A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011481638.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种风电变流器IGBT器件开路故障综合诊断方法，属于电子器件领域。该方法步骤：S1：分析机侧变流器IGBT开路故障对直流母线电压的影响；S2：根据机侧变流器IGBT开路故障前后直流母线电压的分布特性，实现基于累积和算法的故障直流母线电压在线诊断；S3：计算变流器输出电流归一化平均值与绝对平均值，分析不同开路故障类型的输出电流归一化绝对平均值特性设计故障识别阈值；S4：基于故障识别特征量与其阈值的比较，建立双馈风电机侧变流器IGBT开路故障定位的决策函数。本发明方法不仅能够实现双馈风电机侧变流器IGBT开路故障的在线诊断，而且能实现其故障的定位。
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