公开(公告)号：CN112597678A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011478877.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王晓 ,  刘人宽 ,  赖伟 ,  余越 ,  于仁泽 ,  何蓓

IPC: G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件微动磨损失效演化的数值模拟方法，属于半导体器件领域。该建模方法包括压接型IGBT器件微动磨损失效模拟，建立含接触层微动磨损的压接型IGBT器件等效模型，通过设置接触面磨损损耗，进而模拟压接型IGBT器件微动磨损失效过程；压接型IGBT器件有限元建模，建立压接型IGBT器件结构模型，其中IGBT芯片包含铝镀层，设置微动磨损深度超过IGBT芯片表面铝镀层厚度，引起栅氧层失效作为仿真失效断点。本发明通过设置接触面磨损损耗，模拟了压接型IGBT器件在微动磨损失效动态过程中特征参数的变化。

公开(公告)号：CN113447175B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202110725760.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  王晓 ,  姚然 ,  刘人宽 ,  赖伟 ,  于仁泽 ,  朱哲研 ,  余越 ,  周柏灵 ,  何蓓

IPC: G01L1/25 ,  G01L5/00

Abstract: 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。

公开(公告)号：CN115148692A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210518584.6

申请日：2022-05-12

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  朱哲研 ,  姚然 ,  于仁泽 ,  赖伟 ,  王晓 ,  刘人宽 ,  余越 ,  周柏灵 ,  陈思宇 ,  段泽宇 ,  何蓓

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构，属于半导体封装技术领域。该结构包括U型栅极顶针，实现压接型SiC MOSFET器件栅极良好的电气连接；还包括垂直换流路径的压接封装结构，具体包括漏极铜板、上钼层、SiC MOSFET芯片、下钼层和源极铜板，用于降低现有焊接封装的分立式SiC MOSFET器件的寄生电感，提升高频工况下SiCMOSFET器件的开关性能。本发明能够降低分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感，从而提升其开关性能；另外，本发明结构具有小体积、可重复利用的优点，降低了压接封装器件成本。

公开(公告)号：CN112597678B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202011478877.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王晓 ,  刘人宽 ,  赖伟 ,  余越 ,  于仁泽 ,  何蓓

IPC: G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件微动磨损失效演化的数值模拟方法，属于半导体器件领域。该建模方法包括压接型IGBT器件微动磨损失效模拟，建立含接触层微动磨损的压接型IGBT器件等效模型，通过设置接触面磨损损耗，进而模拟压接型IGBT器件微动磨损失效过程；压接型IGBT器件有限元建模，建立压接型IGBT器件结构模型，其中IGBT芯片包含铝镀层，设置微动磨损深度超过IGBT芯片表面铝镀层厚度，引起栅氧层失效作为仿真失效断点。本发明通过设置接触面磨损损耗，模拟了压接型IGBT器件在微动磨损失效动态过程中特征参数的变化。

公开(公告)号：CN113447175A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110725760.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  王晓 ,  姚然 ,  刘人宽 ,  赖伟 ,  于仁泽 ,  朱哲研 ,  余越 ,  周柏灵 ,  何蓓

IPC: G01L1/25 ,  G01L5/00

Abstract: 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。

公开(公告)号：CN112885797A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110062006.1

申请日：2021-01-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  王晓 ,  姚然 ,  刘人宽 ,  赖伟 ,  于仁泽 ,  朱哲研 ,  余越 ,  何蓓

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明属于半导体器件生产技术领域。涉及一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法，其中低接触热阻压接型半导体器件结构，包括多个压接元件，相邻两个压接元件之间设有高热导率、电导率的填充层；低接触热阻压接型半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第一步，将液态金属热界面材料均匀喷涂在各压接元件表面；第二步，将各压接元件按半导体器件结构组装并放置在固定夹具中；第三步，采用步进式加压法对半导体器件进行封装。本发明中半导体器件具有高热导率、电导率的优点，采用的制作方法具有工艺过程简单，经济成本较低的优点。

公开(公告)号：CN111259583A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010033598.X

申请日：2020-01-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  龙海洋 ,  姚然 ,  王晓 ,  赖伟 ,  于仁泽 ,  刘人宽 ,  刘晓宇 ,  李金元

IPC: G06F30/23 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及一种基于空洞率的IGBT模块焊料层疲劳老化失效模拟方法，属于半导体技术领域。首先获取IGBT模块各层组件的几何尺寸及材料物理属性参数，模拟空洞模拟焊料层的疲劳老化失效过程；并将模拟过程导入Solidwork软件建立含空洞的焊料层三维模型；其次，将焊料层三维模型导入Comsol软件建立IGBT器件的几何模型，对IGBT器件的几何模型进行网格剖分；然后，将实际工况的电压、电流应力进行等效并施加到IGBT器件上进行机热电多耦合场仿真；最后，评估焊料层疲劳老化对IGBT器件的可靠性影响。本发明考虑了焊料层疲劳老化的失效演化过程，提高了IGBT模块可靠性评估的准确性。