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公开(公告)号：CN117637876A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410111962.8
申请日：2024-01-26
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增大背接触电池中背光面一侧的光线利用率，利于提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层。其中，硅基底的背光面中与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，其余区域为第二区域。第一区域和第二区域交替分布。第二区域上形成有相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的凹槽结构。第一掺杂半导体层与第二区域相邻的端部悬空设置。所述背接触电池的制造方法用于制造上述背接触电池。
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公开(公告)号：CN118472071B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410918523.8
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/048
摘要： 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，同时通过电介质层未设置有漏电通道的部分，有效控制背接触电池的漏电损耗。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和电介质层。第一掺杂半导体层设置在第一区域和第三区域上。第二掺杂半导体层设置在第二区域和第三区域上。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的掺杂类型相反。在第三区域上，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层沿半导体基底的厚度方向交叠设置，以形成堆叠结构。电介质层至少设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间。电介质层的厚度大于等于13nm。电介质层内设置有漏电通道。
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公开(公告)号：CN118522791A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410752794.0
申请日：2024-06-11
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底；硅基底包括相对的第一表面和第二表面；N型掺杂层，位于硅基底的第一表面的至少部分区域上；N型掺杂层的方阻为14欧姆/方块至40欧姆/方块；间隔且平行分布的若干N型集电栅线，位于N型掺杂层背离所述硅基底的一侧；相邻的N型集电栅线之间的间距小于1.391mm。本申请中，N型掺杂层的方阻为14欧姆/方块至40欧姆/方块，相邻的N型集电栅线之间的间距小于1.391mm，使得寄生吸收、金属区的复合电流和横向电阻等因素能达到较佳的平衡，使得太阳能电池的性能较佳，光电转换效率更高。
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公开(公告)号：CN118398684A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410564554.8
申请日：2024-05-08
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本申请涉及一种硅太阳能电池，其包括：硅基底，所述硅基底含有锑元素，以及载流子分离层，其形成在硅基底上，其中，所述载流子分离层在靠近所述硅基底的一侧的至少部分区域具有锑元素形成含锑层；所述含锑层中锑元素的峰值浓度为a1，且a1等于大于1E13atoms/cm3。
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公开(公告)号：CN117644279A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410125488.4
申请日：2024-01-30
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种激光制备太阳能电池电极的方法和太阳能电池，太阳能电池包括第一掺杂半导体层和介质层，方法包括：对涂覆电极材料后的太阳能电池进行加热预处理，以使电极材料进入介质层，且未穿透介质层；采用激光对电极材料进行照射，以使电极材料穿过介质层，并与第一掺杂半导体层形成金属半导体合金，得到太阳能电池电极；其中，介质层与第一掺杂半导体层相接触。本发明的方法，提升了生产的环保性与安全性，提升了电池效率，并且设备占地面积小，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117457760A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311776829.6
申请日：2023-12-22
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增强第一掺杂区的载流子收集能力，利于提升太阳能电池的光电转换效率。所述太阳能电池包括：半导体基底、表面钝化层和掺杂剂。半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区。表面钝化层形成在半导体基底具有第一掺杂区的一侧。表面钝化层内设有多个导电窗口。掺杂剂通过导电窗口贯穿表面钝化层形成第一掺杂区。第一掺杂区包括至少一个掺杂子区。沿掺杂子区的长度方向，每个掺杂子区的两端向半导体基底内凹入的最大深度大于掺杂子区的中部向半导体基底内凹入的最大深度。所述太阳能电池的制造方法用于制造上述太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117410359A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311532174.8
申请日：2023-11-16
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于提高非烧穿型电极的载流子收集能力。所述背接触电池包括半导体基底、表面钝化层、第一电极和第二电极。表面钝化层覆盖在半导体基底的背光面一侧、且设有导电窗口，导电窗口的底部露出部分第一区域。第一电极和第二电极形成在背光面一侧。至少部分第一电极在背光面上的投影位于第一区域内。第二电极在背光面上的投影位于第二区域内。第一区域中与第一电极中每个集电电极段欧姆接触的部分为接触区。沿第二方向，每个接触区的端部与第二区域的边缘的最小间距为第一距离、且第二电极中每个集电电极段的端部与第一区域的边缘的间距为第二距离。第一距离小于第二距离。
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公开(公告)号：CN117253934A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311542462.1
申请日：2023-11-20
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，以合理设置第一掺杂区中通过第一导电窗口暴露在外的区域和发射极区之间的面积比例。所述背接触电池包括半导体基底、表面钝化层、第一电极和第二电极。半导体基底的背光面具有导电类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区为发射极区。表面钝化层形成在半导体基底的背光面一侧的第一掺杂区和第二掺杂区上。第一电极通过第一导电窗口贯穿表面钝化层并与第一掺杂区欧姆接触。第二电极通过第二导电窗口贯穿表面钝化层并与第二掺杂区欧姆接触。第一掺杂区中通过第一导电窗口暴露在外的区域为第一接触区。第一接触区和发射极区的面积比大于等于0.93%、且小于等于4.42%。
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公开(公告)号：CN117253930A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311547660.7
申请日：2023-11-20
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
摘要： 本发明提供了背接触太阳能电池及光伏组件和电极结构，涉及光伏技术领域。电极结构包括：边缘第一电极盘；边缘第一汇流栅线，位于背接触太阳能电池本体的边缘和边缘第一电极盘之间，且与边缘第一电极盘电连接；第一集电栅线和第二集电栅线，两者沿第一方向交替排布，且均沿第二方向延伸；第一搭接线，沿第一方向延伸，仅与边缘第一电极盘，和紧邻第一集电栅线均电连接；紧邻第一集电栅线包括：在第一方向上，与边缘第一电极盘紧邻，和/或，平齐分布的第一集电栅线。本发明第一搭接线仅与边缘第一电极盘，和前述紧邻第一集电栅线均电连接，并没有与其他的第一集电栅线电连接，该第一搭接线并不是直通式的，可以将边缘区域内的载流子有效收集。
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公开(公告)号：CN118943251A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411018952.6
申请日：2024-07-26
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明公开一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，太阳能电池制备方法包括：将硅片以第一位置放置，依次形成隧穿氧化层和本征非晶硅层，在第一位置下，硅片相对水平面的夹度为α；将硅片以第二位置放置，对本征非晶硅层进行扩散掺杂形成掺杂多晶硅层以及玻璃层，在第二位置下，硅片相对水平面的夹度为β，α小于β。在形成本征非晶硅层工艺中硅片的放置更趋近于炉管的气流流动方向，利于抽出本征非晶硅层的副产物，提高本征非晶硅层成膜质量。而在扩散掺杂工艺中硅片的放置更趋近于垂直气流流动方向，以使氧化过程中的O2在表面停留时间更长，增加玻璃层的致密性，显著增强了玻璃层的耐碱腐蚀性能。
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