公开(公告)号：CN118367043B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410794820.6

申请日：2024-06-19

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 李振国 ,  童洪波 ,  谭善 ,  孙恒 ,  於龙 ,  徐新星 ,  靳玉鹏

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以合理设置太阳能电池包括的所有导电半导体部对应的传输电阻发热功率（P1）和太阳能电池对应的反向漏电功率（P2）之间的比值关系，有效降低太阳能电池的反向击穿电压和热斑风险。所述太阳能电池中每个导电半导体部至少部分位于第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间，第一掺杂半导体部的仅部分区域和第二掺杂半导体部的仅部分区域通过上述至少一个导电半导体部电性连接。导电半导体部沿自身长度方向的不同区域的导电类型与第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部中的一者的导电类型相反。P1和P2的比值A大于等于2%、且小于等于50%。

公开(公告)号：CN118431312A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410461849.2

申请日：2024-04-16

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 靳玉鹏 ,  於龙 ,  童洪波

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本申请提供一种太阳能电池，其包括：硅基底，以及形成在硅基底的一侧表面的若干集电栅线；所述硅基底中掺杂有锑元素，在与所述集电栅线垂直的方向上单位长度上的相同极性的集电栅线的栅线密度为n根/cm，硅基底中锑元素的浓度为a atoms/cm3时，n与a满足如下关系：n≥35‑klg a 公式一，其中，k小于等于2。本申请还提供一种由本申请的太阳能电池形成的光伏组件。

公开(公告)号：CN118299439A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410553269.6

申请日：2024-05-06

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 王伟玮 ,  王勇 ,  陈石 ,  刘庆平 ,  於龙 ,  丁超 ,  童洪波

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05

摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：沿第一方向延伸且沿第二方向间隔分布的若干集电掺杂区域；第一集电掺杂区域的端部与第一电池边缘之间具有第一间隔，与第一集电掺杂区域紧邻的第二集电掺杂区域在靠近第一电池边缘的端部具有延伸进入第一间隔的弯折部；在电池本体中，至少两个P型集电掺杂区域和至少一个N型集电掺杂区域均是第一集电掺杂区域，弯折部分为P型弯折部和N型弯折部，电池本体中，N型弯折部的数量大于P型弯折部的数量；或，第一集电掺杂区域仅为P型集电掺杂区域，电池本体中弯折部仅包括N型弯折部。本发明的电池钝化效果好且电池边缘EL或PL发黑少。

公开(公告)号：CN117253929B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311526648.8

申请日：2023-11-16

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 童洪波 ,  李振国 ,  於龙 ,  邓圣杰 ,  靳玉鹏

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以防止漏电，提升背接触电池的电学稳定性。所述背接触电池包括电池基底、以及形成在电池基底具有的背光面上的第一电极和第二电极。电池基底的背光面具有交替分布的第一区域和第二区域。第一区域和第二区域的导电类型相反。第一电极在背光面上的投影位于第一区域内。第二电极在背光面上的投影位于第二区域内。第一电极和第二电极均包括多个集电电极和多个汇流电极。沿第二方向，第一电极中每个集电电极段的端部与第二电极包括的相邻汇流电极的间距为第一距离。沿第二方向，第二电极中每个集电电极段的端部与第一电极包括的相邻汇流电极的间距为第二距离。第一距离大于第二距离。

公开(公告)号：CN118472070B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410918522.3

申请日：2024-07-10

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 李振国 ,  童洪波 ,  靳玉鹏 ,  刘畅 ,  谭善 ,  於龙

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域。第一掺杂半导体部设置在第一区域和第三区域之内或之上。第二掺杂半导体部设置在第二区域和第三区域上。其中，第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。在第三区域，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部沿半导体基底的厚度方向层叠设置，以形成堆叠结构。在堆叠结构中，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间具有中空间隙。

公开(公告)号：CN118116984B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410517763.7

申请日：2024-04-28

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 李振国 ,  童洪波 ,  邓圣杰 ,  李金雨 ,  於龙 ,  邱家梁 ,  樊凯

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/04

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低将相邻太阳能电池互连后所形成的互连应力，降低太阳能电池裂片风险。太阳能电池包括电池本体、集电电极和第一互连结构。位于同一目标面上的不同集电电极均沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布。每个第一互连结构与至少一个集电电极电性连接。沿第二方向间隔分布的不同第一互连结构的至少部分区域位于同一连接线上。位于同一目标面内的连接线的数量为N1，与目标线段相交的第一互连结构的数量为N2，N1＞N2。目标线段为目标面的对角线，或，目标线段为目标面沿第一方向相对分布的两个边缘中的长度较大的一者的中点和与两个边缘中的长度较小的一者对应的顶角端点的连线段。

公开(公告)号：CN117153907B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311175882.0

申请日：2023-09-12

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 童洪波 ,  於龙 ,  陈石 ,  李华

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以解决金属制成的汇流电极与半导体基底完全直接接触，导致太阳能电池的表面具有较高的金属复合，降低太阳能电池的电池效率的问题。所述太阳能电池包括：半导体基底、第一导电接触层、汇流电极和集电电极。第一导电接触层至少形成在半导体基底的一面，多条第一导电接触层沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布。汇流电极形成在第一导电接触层上方，且至少位于半导体基底的一面。多条汇流电极沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布。至少部分第一导电接触层在半导体基底上的投影，与汇流电极在半导体基底上的投影重叠，第一方向不同于第二方向。

公开(公告)号：CN117457760B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311776829.6

申请日：2023-12-22

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 童洪波 ,  李振国 ,  於龙 ,  王凯 ,  靳玉鹏

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增强第一掺杂区的载流子收集能力，利于提升太阳能电池的光电转换效率。所述太阳能电池包括：半导体基底、表面钝化层和掺杂剂。半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区。表面钝化层形成在半导体基底具有第一掺杂区的一侧。表面钝化层内设有多个导电窗口。掺杂剂通过导电窗口贯穿表面钝化层形成第一掺杂区。第一掺杂区包括至少一个掺杂子区。沿掺杂子区的长度方向，每个掺杂子区的两端向半导体基底内凹入的最大深度大于掺杂子区的中部向半导体基底内凹入的最大深度。所述太阳能电池的制造方法用于制造上述太阳能电池。

公开(公告)号：CN117153908B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311179614.6

申请日：2023-09-12

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 童洪波 ,  於龙 ,  陈石 ,  李华

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/06

摘要： 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，以解决金属制成的汇流电极与电池本体完全直接接触，导致背接触电池的表面具有金属复合，降低背接触电池的电池效率的问题。该背接触电池包括：电池本体，导电接触层，以及包括多个集电电极和多个汇流电极的正电极和负电极。多个第一导电接触层沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔设置。多个第二导电接触层沿第二方向延伸、且沿第一方向间隔设置。第一方向不同于第二方向，每个汇流电极与自身极性相同的集电电极连接。集电电极在电池本体上的投影与第一导电接触层在电池本体上的投影至少部分重叠，汇流电极在电池本体上的投影与第二导电接触层在电池本体上的投影至少部分重叠。

公开(公告)号：CN117637876A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202410111962.8

申请日：2024-01-26

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 童洪波 ,  李振国 ,  刘庆平 ,  丁超 ,  陈晨 ,  董广斌 ,  何金华 ,  张洪超 ,  於龙 ,  徐新星

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增大背接触电池中背光面一侧的光线利用率，利于提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层。其中，硅基底的背光面中与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，其余区域为第二区域。第一区域和第二区域交替分布。第二区域上形成有相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的凹槽结构。第一掺杂半导体层与第二区域相邻的端部悬空设置。所述背接触电池的制造方法用于制造上述背接触电池。