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公开(公告)号：CN118472070B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410918522.3
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/048 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域。第一掺杂半导体部设置在第一区域和第三区域之内或之上。第二掺杂半导体部设置在第二区域和第三区域上。其中，第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。在第三区域，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部沿半导体基底的厚度方向层叠设置，以形成堆叠结构。在堆叠结构中，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间具有中空间隙。
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公开(公告)号：CN118367043B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410794820.6
申请日：2024-06-19
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0312 , H01L31/0304 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以合理设置太阳能电池包括的所有导电半导体部对应的传输电阻发热功率（P1）和太阳能电池对应的反向漏电功率（P2）之间的比值关系，有效降低太阳能电池的反向击穿电压和热斑风险。所述太阳能电池中每个导电半导体部至少部分位于第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间，第一掺杂半导体部的仅部分区域和第二掺杂半导体部的仅部分区域通过上述至少一个导电半导体部电性连接。导电半导体部沿自身长度方向的不同区域的导电类型与第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部中的一者的导电类型相反。P1和P2的比值A大于等于2%、且小于等于50%。
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公开(公告)号：CN118472071B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410918523.8
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/048
摘要： 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，同时通过电介质层未设置有漏电通道的部分，有效控制背接触电池的漏电损耗。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和电介质层。第一掺杂半导体层设置在第一区域和第三区域上。第二掺杂半导体层设置在第二区域和第三区域上。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的掺杂类型相反。在第三区域上，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层沿半导体基底的厚度方向交叠设置，以形成堆叠结构。电介质层至少设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间。电介质层的厚度大于等于13nm。电介质层内设置有漏电通道。
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公开(公告)号：CN117960497A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410166398.X
申请日：2024-02-05
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种涂布方法、太阳能电池及涂布设备，所述涂布方法包括：调节所述涂布模头与所述涂布平台上的衬底的相对位置；向所述涂布模头与所述衬底的待涂面之间注入涂布液；利用风刀组件向所述涂布液输送气流，以调制所述涂布液形成的弯月面；移动所述涂布模头和所述风刀组件，以在所述待涂面形成涂层。通过气流对涂布液形成的弯月面进行调制，从而能够抑制高速涂布引起的涂层厚度增加的问题，提升涂层的均匀性。同时，在气流的作用下，可以加速涂层的干燥和结晶，从而提升涂布液在衬底表面的成膜性，以满足高通量的生产需求。
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公开(公告)号：CN118472070A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918522.3
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/048 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域。第一掺杂半导体部设置在第一区域和第三区域之内或之上。第二掺杂半导体部设置在第二区域和第三区域上。其中，第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。在第三区域，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部沿半导体基底的厚度方向层叠设置，以形成堆叠结构。在堆叠结构中，第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间具有中空间隙。
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公开(公告)号：CN118099246A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410508982.9
申请日：2024-04-26
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池、组件及系统。所述太阳能电池包括：硅基底，硅基底的第一表面背离所述硅基底层叠设置有隧穿介电层和掺杂多晶硅层；同质结，同质结位于硅基底具有隧穿介电层的一侧，且同质结自硅基底表面向硅基底内部扩散；同质结的掺杂浓度为1×1015cm‑3~5×1018cm‑3，同质结的结深大于等于500nm且小于等于硅基底的厚度。本申请的太阳能电池优化了同质结的掺杂浓度和结深，有利于在降低俄歇复合影响和增加硅基底内载流子提取和分离深度的同时，能够增强掺杂多晶硅层和硅基底之间的浓度差，从而提升异质结硅基底界面的内建电场，进而提高太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN118472071A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918523.8
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/048
摘要： 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，同时通过电介质层未设置有漏电通道的部分，有效控制背接触电池的漏电损耗。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和电介质层。第一掺杂半导体层设置在第一区域和第三区域上。第二掺杂半导体层设置在第二区域和第三区域上。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的掺杂类型相反。在第三区域上，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层沿半导体基底的厚度方向交叠设置，以形成堆叠结构。电介质层至少设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间。电介质层的厚度大于等于13nm。电介质层内设置有漏电通道。
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公开(公告)号：CN118367043A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410794820.6
申请日：2024-06-19
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0312 , H01L31/0304 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以合理设置太阳能电池包括的所有导电半导体部对应的传输电阻发热功率（P1）和太阳能电池对应的反向漏电功率（P2）之间的比值关系，有效降低太阳能电池的反向击穿电压和热斑风险。所述太阳能电池中每个导电半导体部至少部分位于第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间，第一掺杂半导体部的仅部分区域和第二掺杂半导体部的仅部分区域通过上述至少一个导电半导体部电性连接。导电半导体部沿自身长度方向的不同区域的导电类型与第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部中的一者的导电类型相反。P1和P2的比值A大于等于2%、且小于等于50%。
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公开(公告)号：CN221304608U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202322945144.1
申请日：2023-10-31
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18 , C23C16/50
摘要： 本实用新型公开一种石墨舟片和石墨舟，以解决石墨舟承载硅片进行等离子体增强化学气相沉积时，使得电池片边缘发蓝或发白的现象，提升硅片品质。石墨舟片包括舟片本体、至少三个卡点和导电件，至少三个卡点设置于舟片本体。至少三个卡点围设形成用于定位硅片周缘的定位区域，导电件设置于舟片本体，导电件凸出于舟片本体的表面，导电件设置于定位区域的外部。石墨舟包括多个陶瓷圈、陶瓷杆、螺母和多个石墨舟片，多个石墨舟依次并列设置，石墨舟片上设置有多个贯通孔。多个陶瓷圈位于相邻两个所述石墨舟片之间，陶瓷圈与贯通孔相对应。陶瓷杆的一端依次穿过并列设置的石墨舟片的相对应的贯通孔以及陶瓷圈，螺母螺纹连接于陶瓷杆的一端。
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