-
公开(公告)号：CN114127032B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202080051640.9
申请日：2020-07-14
Applicant: AGC株式会社
IPC: C04B37/02 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种层叠构件，具有波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的为SiC构件或AlN构件的陶瓷构件。
-
公开(公告)号：CN114127032A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051640.9
申请日：2020-07-14
Applicant: AGC株式会社
IPC: C04B37/02 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种层叠构件，具有波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的为SiC构件或AlN构件的陶瓷构件。
-
-
公开(公告)号：CN113039163A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075171.1
申请日：2019-11-11
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO2+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。
-
公开(公告)号：CN110436774A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910720507.7
申请日：2015-07-20
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C3/091
Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、应变点高、光弹性常数低、杨氏模量高、热收缩率小的无碱玻璃。其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10-7/℃以下，光弹性常数为31nm/MPa/cm以下，杨氏模量为78GPa以上，热收缩率为200ppm以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有64.9～70的SiO2、8～16的Al2O3、2.7以上的B2O3、0～7.5的MgO、3～20的CaO、1.5～10的SrO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.58～0.74，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]-5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118324411A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410326081.8
申请日：2019-03-13
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低高频信号的介电损耗且能够在宽温度区域稳定地使用的基板。本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的介电损耗角正切(A)为0.1以下，20℃、35GHz下的介电损耗角正切(B)为0.1以下，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的介电损耗角正切(C)/所述介电损耗角正切(A)}表示的比为0.90～1.10。另外，本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的相对介电常数(a)为4～10，20℃、35GHz下的相对介电常数(b)为4～10，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的相对介电常数(c)/所述相对介电常数(a)}表示的比为0.993～1.007。
-
公开(公告)号：CN116282904A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310258876.5
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
-
公开(公告)号：CN116199432A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310166382.4
申请日：2016-05-24
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C27/06 , B32B17/06 , B32B7/12 , B32B17/00 , B32B33/00 , H01L23/15 , C03C3/091 , C03C3/089 , C03C3/087 , C03C3/085 , C03C3/083 , C03C3/078 , C03C3/076
Abstract: 本发明提供一种在将玻璃基板和含有硅的基板贴合的工序中气泡不易进入的玻璃基板。本发明涉及一种玻璃基板，是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，所述玻璃基板的翘曲为2～300μm，由所述翘曲引起的倾斜角度为0.0004～0.12°。
-
公开(公告)号：CN109987836B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910222449.5
申请日：2014-06-24
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及无碱玻璃。本发明涉及收缩率低、50℃～350℃下的平均热膨胀系数小、易于浮法成形的无碱玻璃。具体来说，本发明涉及一种无碱玻璃，所述无碱玻璃的收缩率C1为5ppm以下、收缩率C2为40ppm以下，以氧化物基准的质量％计，所述无碱玻璃含有SiO2 64～72、Al2O3 17～22、MgO 1～8、CaO 4～15.5，且0.20≤MgO/(MgO+CaO)≤0.41。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.018 seconds)
