公开(公告)号：CN104685348A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380052272.X

申请日：2013-10-04

Applicant: FEI公司

Inventor： S.H.李 ,  S.斯通 ,  J.布莱克伍德 ,  M.施米德特

IPC: G01N23/00 ,  B23K15/08 ,  G01B15/00

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/46 ,  G01N1/32 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如，离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层，并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。

公开(公告)号：CN107084869A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710041560.5

申请日：2012-11-30

Applicant: FEI 公司

Inventor： P.基迪 ,  B.彼得森 ,  G.达斯 ,  C.亨利 ,  L.德沃金 ,  J.布莱克伍德 ,  S.斯通 ,  M.施米德特

IPC: G01N1/32 ,  H01J37/26

Abstract: 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB‑SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。

公开(公告)号：CN104813459A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380063643.4

申请日：2013-10-04

Applicant: FEI公司

Inventor： J.布莱克伍德 ,  S.H.李 ,  M.施米德特 ,  S.斯通 ,  K.霍兰德

IPC: H01L21/66

Abstract: 从单个视角暴露样本内的多个平面以供电气探测器接触。可以以非正交角度铣削样本以暴露不同层作为有斜率的表面。多个平行导体平面的有斜率的边缘提供从上方对多个层级的访问。可以访问平面例如以用于与用于施加或感测电压的电气探测器接触。可以例如通过从样本表面对暴露层向下计数来识别要接触的暴露层的层级，由于非正交铣削使所有层从上方可见。可替换地，可以与表面正交地铣削样本，并然后使样本倾斜和/或旋转，以提供对器件的多个层级的访问。优选地与感兴趣的区域远离地执行铣削以在最小化对所述区域的损害的同时提供对所述区域的电气访问。