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公开(公告)号：CN104822482A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380063847.8
申请日：2013-10-07
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/3005 , G01N1/32 , G01N23/2255 , G01N2223/104 , G01N2223/611 , H01J37/3007 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/31 , H01J2237/063 , H01J2237/08 , H01J2237/2813 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： 为了减少通过聚焦离子束暴露以供查看的表面中的伪像，靠近感兴趣的区域铣削沟槽，并且填充沟槽以创建隔板。离子束被引导通过隔板以暴露感兴趣的区域的一部分以供查看。沟槽例如是通过带电粒子束感应沉积来填充的。沟槽典型地被自顶向下铣削和填充，并且然后，离子束关于样本表面成角度以暴露感兴趣的区域。
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公开(公告)号：CN104685348A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380052272.X
申请日：2013-10-04
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/3053 , C23C14/46 , G01N1/32 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如，离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层，并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。
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公开(公告)号：CN105103270A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380074003.3
申请日：2013-12-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/28 , H01L21/30655
摘要： 提供了一种用于以减少或防止人造产物的方式准备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。离子束研磨使用块体研磨工艺暴露工件的横截面。当从暴露的横截面移除小量的材料的时,将沉积前驱体气体引导向样本表面，沉积前驱体产生更均匀的横截面。实施例对于准备用于具有不同硬度的材料的层的样本的SEM观察的横截面是有用的。实施例对于薄TEM样本的准备是有用的。
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公开(公告)号：CN104813459A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380063643.4
申请日：2013-10-04
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 从单个视角暴露样本内的多个平面以供电气探测器接触。可以以非正交角度铣削样本以暴露不同层作为有斜率的表面。多个平行导体平面的有斜率的边缘提供从上方对多个层级的访问。可以访问平面例如以用于与用于施加或感测电压的电气探测器接触。可以例如通过从样本表面对暴露层向下计数来识别要接触的暴露层的层级，由于非正交铣削使所有层从上方可见。可替换地，可以与表面正交地铣削样本，并然后使样本倾斜和/或旋转，以提供对器件的多个层级的访问。优选地与感兴趣的区域远离地执行铣削以在最小化对所述区域的损害的同时提供对所述区域的电气访问。
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公开(公告)号：CN103913363A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310747134.5
申请日：2013-12-31
申请人： FEI公司
IPC分类号： G01N1/32
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/28 , H01L21/30655
摘要： 本发明涉及一种用于制备用于成像的样本的方法。提供用于以降低或防止人造产物的方式制备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。仅在最终研磨之前或在其期间，使用带电粒子束沉积将材料沉积在样本上，这导致无人造产物的表面。实施例对于制备用于具有不同硬度的材料层的样本的SEM观察的横断面是有用的。实施例对于制备薄TEM样本是有用的。
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公开(公告)号：CN104885196A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068797.2
申请日：2013-12-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/2605 , C23C16/045 , C23C16/047 , H01L21/02115 , H01L21/02277 , H01L21/0243 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76898
摘要： 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后，束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时，电子优选地具有高的能量以到达孔的底部，并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。
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公开(公告)号：CN104685617A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要： 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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公开(公告)号：CN105264635A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380074020.7
申请日：2013-12-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2814 , H01J2237/31745
摘要： 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
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