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公开(公告)号：CN105960388A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580006690.4
申请日：2015-06-09
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C07C5/333 , C07C7/11 , C07C11/167
CPC classification number: C07C7/11 , C07C5/48 , C07C2523/18 , C07C2523/28 , C07C2523/31 , C07C11/167
Abstract: 本发明涉及一种通过氧化脱氢反应制备丁二烯的方法，所述方法包括以下步骤：a)将包括C4馏分、蒸汽、氧气(O2)和氮气(N2)的第一流股引入到填充了催化剂的反应器中以进行氧化脱氢反应；b)将从所述反应器中获得的丁二烯选择性地吸收到吸收溶剂中，并且分离并去除除所述丁二烯之外的C4混合物和气体产物(轻质气体)；以及c)回收所述丁二烯，接着纯化。通过在丁二烯的制备期间由使用单一吸收溶剂来整合气体分离和纯化步骤，减少由溶剂的反复引入和去除产生的设备成本和运转成本，从而确保工艺的经济竞争力。
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公开(公告)号：CN105593195A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053561.6
申请日：2014-11-21
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B01D53/1425 , B01D11/0488 , B01D53/1418 , B01D53/1487 , B01D53/1493 , B01D2252/20405 , B01D2252/20431 , B01D2257/7022 , C07C5/32 , C07C5/48 , C07C7/11 , C07C11/167
Abstract: 本发明涉及一种在通过氧化脱氢反应的制备丁二烯的过程中回收吸收溶剂的方法，所述方法包括以下步骤：a)将排放自吸收塔的上部的气体产物输送至洗涤塔；以及b)通过在所述洗涤塔内部循环的溶剂来回收包含于所述气体产物中的吸收溶剂。另外，改善了用于制备丁二烯的工艺的经济效益，因为可防止吸收溶剂流入反应器中或吸收溶剂排放至体系之外。
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公开(公告)号：CN105473537A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046459.3
申请日：2014-08-20
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C07C29/76 , B01D3/141 , B01D3/145 , B01D61/362 , B01D2311/2669 , C07C29/80 , C07C31/10
Abstract: 本发明提供了一种用于纯化异丙醇的方法和设备。在消耗最少量的能源的同时可以有效地从包含水和异丙醇的进料中去除水，且因此，可以得到高纯度的异丙醇。
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公开(公告)号：CN105008010A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009482.5
申请日：2014-07-18
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B01D19/0026 , B01J19/006 , B01J19/0066 , B01J19/20 , B01J2219/0077 , B01J2219/00774 , B01J2219/00779
Abstract: 本发明涉及一种气液分离仪器，并且根据本发明的一个方案提供了一种气液分离仪器，其包括：壳体，其包括能够沿着高度方向堆叠的多个管形柱；旋转轴，其设置在所述壳体的内部；驱动单元，其用于使所述旋转轴旋转；旋转圆锥体，其附接到所述旋转轴上以绕着所述旋转轴旋转，每个旋转圆锥体的直径从其顶部朝向底部减小；以及管形的固定圆锥体，其附接至所述管形柱上以与所述旋转圆锥体间隔开，每个固定圆锥体的直径从其顶部朝向底部减小。
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公开(公告)号：CN101743352A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024917.8
申请日：2008-07-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B26D5/20 , B23K26/38 , B26D5/00 , B26D2007/0075 , B26F1/40 , B26F1/44 , B26F3/004 , G02B5/3033 , Y10T83/0448 , Y10T83/202 , Y10T83/2196
Abstract: 本发明公开了一种采用切割框架通过连续的切割处理以预定角度由长的基础材料片来制造一种或多种矩形单元件的方法，该方法包括(a)制造具有两层以上堆叠片的层压结构的基础材料片，并将该基础材料片卷绕在辊子上；(b)连续供给卷绕在辊子上的基础材料片；(c)采用具有切割器的切割框架来切割供给的基础材料片，切割器以与要制造的矩形单元件相对应的结构而安装或形成于所述切割框架中，当连续排列所述切割器时，将该切割器排列成其相对端彼此一致的形状，当将基础材料片部分重叠时进行切割，这样在切割框架的任意高度上用于一次切割处理的长度(“节距”)等于所述切割器在纵向方向上相对端间的间隔距离；(d)将切割矩形单元件后产生的废料卷绕在另一个辊子上；以及(e)传送切割的矩形单元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106458790B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201580030202.3
申请日：2015-07-02
Applicant: LG化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于在使用氧化脱氢的丁二烯制备工艺中回收能量的方法，其包括以下步骤：a)通过将从溶剂吸收塔排出的部分或全部气体产物供应到涡轮机以发电；b)使已通过所述涡轮机的气体产物通过包含热交换器的一个或多个设备单元；以及c)将已通过所述包含热交换器的设备单元的气体产物注入到反应器中。通过降低在使用氧化脱氢的丁二烯制备工艺中所需的纯能量的量来提高丁二烯制备工艺的经济效率。
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公开(公告)号：CN107075129A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047007.1
申请日：2015-11-04
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08G64/34 , C07F3/06 , C08G64/16 , C08G64/403 , C08J3/07 , C08J3/12 , C08G64/40 , C08J2369/00
Abstract: 本发明涉及一种能够使树脂颗粒从通过环氧化物与二氧化碳的聚合而获得的聚碳酸亚烷基酯悬浮液中沉淀以便将其分离的聚碳酸亚烷基酯颗粒的制备方法。根据本发明，提供了所述制备方法，其能够以高产率和低能量消耗而获得具有优异的加工性能的形式的聚碳酸亚烷基酯树脂，并且相比于如闪蒸分离法的常规方法，其能够降低设备尺寸、工艺时间和废水的产生量。
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公开(公告)号：CN105555747A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480046456.X
申请日：2014-08-20
Applicant: LG化学株式会社
Abstract: 本申请涉及用于纯化异丙醇的方法和设备。根据本发明，可以最小的能量损耗从含有水和异丙醇的进料中有效地除水，因而可获得高纯异丙醇。
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公开(公告)号：CN101743352B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880024917.8
申请日：2008-07-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B26D5/20 , B23K26/38 , B26D5/00 , B26D2007/0075 , B26F1/40 , B26F1/44 , B26F3/004 , G02B5/3033 , Y10T83/0448 , Y10T83/202 , Y10T83/2196
Abstract: 本发明公开了一种采用切割框架通过连续的切割处理以预定角度由长的基础材料片来制造一种或多种矩形单元件的方法，该方法包括(a)制造具有两层以上堆叠片的层压结构的基础材料片，并将该基础材料片卷绕在辊子上；(b)连续供给卷绕在辊子上的基础材料片；(c)采用具有切割器的切割框架来切割供给的基础材料片，切割器以与要制造的矩形单元件相对应的结构而安装或形成于所述切割框架中，当连续排列所述切割器时，将该切割器排列成其相对端彼此一致的形状，当将基础材料片部分重叠时进行切割，这样在切割框架的任意高度上用于一次切割处理的长度(“节距”)等于所述切割器在纵向方向上相对端间的间隔距离；(d)将切割矩形单元件后产生的废料卷绕在另一个辊子上；以及(e)传送切割的矩形单元件。
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公开(公告)号：CN101686738B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880022969.1
申请日：2008-07-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B23K26/38 , B26F1/26 , B26F3/004 , B26F2001/4454 , B26F2001/4481 , Y10T83/364 , Y10T83/929
Abstract: 本发明公开了一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。
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