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公开(公告)号：CN101960627A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980108016.1
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1且x+y+z＞0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103562128A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280023832.4
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G53/006 , C01B19/002 , C01G51/006 , C01G55/002 , C01P2002/50 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-mAmSb12-n-z-pXnQ'pTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103534200A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023009.3
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G53/006 , C01B19/002 , C01G51/006 , C01G55/002 , C01P2002/50 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L35/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103534199A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280021382.5
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q′为选自O、S和Se中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103517871A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022517.X
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , H01L35/16 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxCo4Sb12-zSez，其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103400932A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN103130199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101977846A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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公开(公告)号：CN103562127B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201280023369.3
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/547 , C04B2235/3277 , C04B2235/40 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C04B2235/9607 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0
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公开(公告)号：CN103534199B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280021382.5
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q′为选自O、S和Se中的至少一种；0
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