公开(公告)号：CN101404319A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810161988.4

申请日：2008-10-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  宫内大助 ,  岛泽幸司 ,  土屋芳弘 ,  水野友人 ,  町田贵彦

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307

Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应(magneto－resistive effect)元件和磁盘装置。本发明是一种具备：分隔层和夹着分隔层层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层、在该层叠方向上施加有检测电流而成的CPP(Current Perpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，其构成为，第一铁磁层和第二铁磁层以这两层的磁化方向所成的角度对应于外部磁场而相对变化的方式发挥作用，分隔层包含半导体氧化物层，在构成全部或一部分分隔层的半导体氧化物层与绝缘层相接触的位置，插入了含有氮元素的界面保护层，因此，在半导体氧化物层与界面保护层的接合表面上形成了共价成键性高的氮化物，氧从半导体氧化物层向绝缘层的移动受到抑制，即使元件受到加工工艺上的热或应力的影响，也能够抑制元件特性的变动或变差。