-
公开(公告)号：CN101667427B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
-
公开(公告)号：CN101807406B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010004484.9
申请日：2010-01-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3912 , G11B5/455 , G11B2005/0016 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成：将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式，按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形，对照这二者的输出波形的状态，由此，检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此，能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。
-
公开(公告)号：CN101447550B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
-
公开(公告)号：CN101807406A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010004484.9
申请日：2010-01-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3912 , G11B5/455 , G11B2005/0016 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成：将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式，按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形，对照这二者的输出波形的状态，由此，检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此，能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。
-
公开(公告)号：CN101359714A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810128516.9
申请日：2008-06-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/398 , H01L43/12
Abstract: 一种磁场探测元件包括：包括上磁层、下磁层和夹在上、下磁层之间的非磁中间层的叠层，上磁层和下磁层的磁化方向根据外部磁场改变；以下述方式设置的上屏蔽电极层和下屏蔽电极层：它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，上屏蔽电极层和下屏蔽电极层提供堆叠方向上的传感电流并磁性屏蔽所述叠层；设置在所述叠层表面上的偏磁层，所述表面与所述叠层的气浮表面相反，偏磁层在垂直气浮表面的方向施加偏磁场到所述上、下磁层；和设置在所述叠层的关于其磁道宽度方向的两侧上都设置的绝缘膜。该偏磁层具有大于所述叠层的厚度，且所述上屏蔽电极层和/或所述下屏蔽电极层包括填充阶形部分，该阶形部分由所述叠层和所述偏磁层形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113203885B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110125131.2
申请日：2021-01-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R15/18
Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。
-
公开(公告)号：CN113203885A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110125131.2
申请日：2021-01-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R15/18
Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。
-
公开(公告)号：CN101359714B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810128516.9
申请日：2008-06-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/398 , H01L43/12
Abstract: 一种磁场探测元件包括：上磁层、下磁层和夹在上、下磁层之间的非磁中间层的叠层，上磁层和下磁层的磁化方向根据外部磁场改变；以下述方式设置的上屏蔽电极层和下屏蔽电极层：它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，上屏蔽电极层和下屏蔽电极层提供堆叠方向上的传感电流并磁性屏蔽所述叠层；设置在所述叠层表面上的偏磁层，所述表面与所述叠层的气浮表面相反，偏磁层在垂直气浮表面的方向施加偏磁场到所述上、下磁层；和设置在所述叠层的关于其磁道宽度方向的两侧上都设置的绝缘膜。该偏磁层具有大于所述叠层的厚度，且所述上屏蔽电极层和/或所述下屏蔽电极层包括填充阶形部分，该阶形部分由所述叠层和所述偏磁层形成。
-
公开(公告)号：CN101667427A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
-
公开(公告)号：CN101447550A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.019 seconds)
