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公开(公告)号：CN101471210B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710125659.X
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热电子源，该热电子源包括一基板、一热电子发射体、一第一电极和一第二电极，所述基板具有一凹槽，所述热电子发射体对应该凹槽并设置于所述基板表面，且至少部分通过所述基板的凹槽与所述基板间隔设置，所述第一电极和第二电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触。
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公开(公告)号：CN1949449B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号：CN101465254A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710125263.5
申请日：2007-12-19
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J9/04 , H01J2201/196
Abstract: 一种热发射电子源包括碳纳米管长线，其中，该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒，该低逸出功材料颗粒至少部分填充于碳纳米管长线内。一种热发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜；提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液，采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜，形成一碳纳米管长线；烘干该碳纳米管长线；激活烘干后的碳纳米管长线，得到热发射电子源。
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公开(公告)号：CN1949449A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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