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公开(公告)号：CN118285059A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202380011177.9
申请日：2023-10-13
申请人： 香港应用科技研究院有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 当串联的上拉晶体管和下拉晶体管同时导通时，会产生击穿电流，例如是由噪声导致。当另一个晶体管导通时，应该关断的晶体管的关断漏极‑源极电压很高，但当关断的晶体管错误导通时，电压就迅速下降。击穿保护电路将关断晶体管的关断漏极‑源极电压与参考电压进行比较。当关断的漏源电压低于参考电压时，会发出故障信号。故障信号通过将其栅极驱动为无效(低电平)来立即禁用导通的晶体管，以停止击穿电流。参考电压可以是电源电压的一部分，例如400伏的输入电源总线的30％，从而提供超过100伏的抗噪声能力，在防止误触发的同时，当参考电压通过时也能立即阻断电流，而不必等待消隐时间。
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公开(公告)号：CN118249791A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211623155.1
申请日：2022-12-16
申请人： 安波福中央电气(上海)有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687 , H03K17/08
摘要： 本公开提供一种继电装置，该继电装置电连接在第一电源与第二电源之间，并且该继电装置包括：多个场效应晶体管；以及控制单元，该控制单元被配置成检测施加于继电装置上的电压和/或流经继电装置的电流，并根据电压和/或电流是否处于电压阈值范围和/或电流阈值范围内，来控制多个场效应晶体管的导通和关断。
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公开(公告)号：CN118232895A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410355628.7
申请日：2024-03-27
申请人： 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件。该过流保护电路包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；电流检测电路用于检测流经MOSFET的电流并输出给逻辑比较电路；逻辑比较电路用于根据检测的流经MOSFET的电流判断MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至驱动电路，在发生过流故障时输出第二电平信号至驱动电路；驱动电路用于根据第一电平信号或第二电平信号向MOSFET提供导通或关断所需的驱动信号。通过设置第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路以及驱动电路，实现对MOSFET的过流保护，并当发生过流故障时能够在更短的时间内关断器件，以保护器件。
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公开(公告)号：CN118199584A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410478180.8
申请日：2024-04-19
申请人： 北京宁海芯科集成电路设计有限公司 , 浙江海科电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/12
摘要： 本发明实施例公开一种开关保护电路及电子设备，涉及电子电路技术领域，能够有效避免电子开关被浪涌电流损坏。所述电路包括：电子开关，所述电子开关设置在电源接入端与负载接入端之间；浪涌限制控制模块，被构造为在所述开关保护电路的第一模式中，根据流过所述电子开关的目标电流信号进行积分运算，得到积分电压信号，并根据所述积分电压信号，确定是否对浪涌电流进行限制保护；逻辑控制模块，与所述浪涌限制控制模块相连，被构造为：在所述第一模式中，响应于所述浪涌限制控制模块确定对浪涌电流进行限制保护，控制所述电子开关断开，或者，响应于所述浪涌限制控制模块确定对浪涌电流解除限制保护，控制所述电子开关接通。
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公开(公告)号：CN117200771B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311186925.5
申请日：2023-09-14
申请人： 青岛鼎信通讯股份有限公司 , 青岛鼎信通讯科技有限公司 , 青岛鼎信通讯电力工程有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明涉及电源开关技术领域，公开了一种应用于智能直流计量及控制设备的电源开关电路，其技术方案包括：开机预充电模块，用于电源开关电路开启时上电预充，防止容性负载大导致的过流或者短路情况；稳态载流模块，用于实现预充到阈值电压后，硬件自动实现闭合，实现稳态载流，以及当发生过流或者短路时，硬件的关断保护；关断模块，用于实现电源开关的关断。本发明通过预充电回路的电阻实现限流，可以实现MOS的两个规格相同，易于选型；实现主MOS开启时，投入无涌流冲击问题；输出存在短路时，电源开关电路会实现硬件的过流关断，保证MOS管的安全性。
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公开(公告)号：CN110890880B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910804851.4
申请日：2019-08-29
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/14 , H03K17/51 , H03K19/003 , H03K19/0175
摘要： 本发明题为“基于错误状况而改变晶体管的背面电极的电压的电路”。本发明提供了一种电路，该电路可以包括晶体管、传感器和开关。晶体管可以包括漏极电极、栅极电极、源极电极和背面电极。传感器可以被配置为检测晶体管中的错误状况。开关可以被配置为响应于传感器检测到晶体管中的错误状况而改变在背面电极处的电压，在背面电极处的电压的改变减小漏极电极与源极电极之间的电流。
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公开(公告)号：CN113659967B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110969945.4
申请日：2021-08-23
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 用于优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路及方法，包括输入单元、隔离单元、驱动单元、电感单元、连接单元和保护单元，所述输入单元的电压信号和脉冲信号经过隔离单元的隔离和电平转换后输入到驱动单元；所述驱动单元通过接收脉冲信号完成对电压信号的切换，经连接单元向碳化硅MOSFET施加正负驱动电压；所述电感单元采用带螺纹的软磁铁氧体，通过旋转改变软磁铁氧体在线圈中的位置，改变线圈的磁导率，进而改变线圈的电感值，最终实现驱动回路总寄生电感值的调整。
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公开(公告)号：CN118041324A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410228386.5
申请日：2024-02-29
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H03K17/04 , H03K17/041 , H03K17/081 , H03K17/567 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种宽电流范围复合型高效率快速切换开关，包括三相开关电路，每一相开关电路包括四个功率管，其中，第一功率管和第二功率管串联在第一支路上，第三功率管和第四功率管串联在第二支路上，所述第一支路和所述第二支路并联在第一交流端和第二交流端之间。本发明将反串联的碳化硅MOSFET功率管和反串连的IGBT功率管相结合，可实现宽电流范围的快速切换功能，切换时间达到微秒级，并且兼顾了低功率和高功率场景下的性能优势，使电流能够自动选择通路，保证快速切换开关能够在不同电流等级下低损耗运行。
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公开(公告)号：CN117997318A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311446852.9
申请日：2023-11-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 一种用于通过预充电操作和采样操作来生成输出信号的自举电路，包括：采样器，包括被配置为对输入信号进行采样的采样开关、连接在输入节点和采样开关之间的第一保护开关、以及连接在采样开关和输出节点之间的第二保护开关；以及驱动器，被配置为基于电源电压和输入信号来驱动采样器。
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公开(公告)号：CN111726112B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910214525.8
申请日：2019-03-20
申请人： 智原科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明公开一种具备输入限制功能的开关装置，包含：开关电路与开关控制器。所述开关电路包含有第一开关与第二开关，用以导通输入端点与输出端点间的路径，其中第一开关与第二开关分别由第一开关控制信号与第二开关控制信号控制。开关控制器根据选择信号与开关信号分别在第一开关控制信号输出端产生所述第一开关控制信号，以及在第二开关控制信号输出端产生第二开关控制信号，当所述输入端点上的输入信号的水平大于电源电压时，所述开关控制器产生可关闭所述开关电路的所述第一开关控制信号与所述第二开关控制信号，以及当所述输入信号的水平不大于所述电源电压时，所述开关控制器根据开关信号产生所述第一开关控制信号与所述第二开关控制信号。
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