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公开(公告)号：CN110895302B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910039934.9
申请日：2019-01-16
申请人： 启端光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管检测系统，其包括多个发光二极管和驱动器。多个发光二极管排列为发光二极管数组；驱动器设置在发光二极管数组的中心，并分别电性连接多个发光二极管，且通过接收开启维持信号，使驱动器启动且接收输入地址，接着依据输入地址使对应输入地址的发光二极管点亮，而得知对应输入地址的发光二极管的电压大小，从而判断发光二极管的性能以及发光二极管数组的良率。
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公开(公告)号：CN111044874B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911408272.4
申请日：2019-12-31
申请人： 武汉天马微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种显示模组、检测方法及电子设备，其中，显示模组的显示面板包括衬底、发光元件、像素电路和检测电路，检测电路包括第一输入端、第二输入端和参考电压输出端，检测电路的工作状态包括第一状态和第二状态，通过改变检测电路的工作状态可以实现将经第一参考电压传输给参考电压输出端，或将第二参考电压传输给参考电压输出端的目的，从而实现使第一参考电压配合像素电路控制发光元件正常工作，或使第一参考电压与第二参考电压配合对发光元件和像素电路的薄膜晶体管检测的目的，即在薄膜晶体管检测时，无需对显示模组进行拆解和使用微米扎针扎探相应线路的步骤，简化了显示模组中薄膜晶体管的检测工序，提高了薄膜晶体管的检测效率。
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公开(公告)号：CN114441926A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210142165.7
申请日：2022-02-16
申请人： 广州科肯电气有限公司
IPC分类号： G01R31/27 , H02P29/024
摘要： 本发明提供了一种IGBT退饱和检测电路。包括三相驱动电路：用于将三相驱动电路与下桥IGBT的集电极连接，驱动IGBT开通；消隐电容充电电路：用于接收IGBT集电极与发射极间的驱动电压，控制所述消隐电容充电电路进行充放电；三相合成比较电路：用于与所述消隐电容充电电路的输出端电连接，并进行电压比较，输出导通/关断信号；故障信号隔离输出电路：用于与所述三相合成比较电路的输出端电连接，接收导通/关断信号，并进行信号耦合，输出电平信号；其中，当所述电平信号为低电平时，IGBT退保和；当所述电平信号为高电平时，IGBT饱和导通。
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公开(公告)号：CN110865290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910730899.5
申请日：2019-08-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于确定功率半导体元件(20)的温度的功率半导体电路(1)。该功率半导体电路包括功率半导体元件和温度传感器(10)，其中功率半导体元件包括用于驱控功率半导体元件的栅极(G)、集电极(C)和发射极(E)，其中发射极(E)与第一发射极端子(HE)电连接，温度传感器包括具有测量端子(TC)的第一测量点(11)和第二测量点(12)，其中第二测量点电连接到发射极(E)，使得在测量端子和第一发射极端子之间可以测量在温度传感器(10)上降落的电压，以用于温度测量。本发明还涉及一种借助该功率半导体电路(1)确定功率半导体元件(20)的温度的方法，以及具有至少一个该功率半导体电路(1)的桥电路。
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公开(公告)号：CN112114237B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011016747.8
申请日：2020-09-24
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路，该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点，通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态；具体的，以IGBT模块门极电荷为监测对象，通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况；并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积，以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测，同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估，提高模块和系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN111983418B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010885829.X
申请日：2020-08-28
申请人： 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED的PN结电压检测系统，涉及电子电路领域，该系统包括LED工作通路、测量恒流源、测量控制开关、差分检测电路和ADC检测电路，测量恒流源的电流远小于所述待测LED的工作电流，测量恒流源的正极连接待LED的阴极、负极通过测量控制开关接地，在每个检测周期的测量时段，测量控制开关闭合并保持LED工作通路断开，ADC检测电路通过差分检测电路检测得到PN结电压，在工作时段LED工作通路正常工作，该系统根据LED的物理特性采用小电流的测量恒流源作为激励源，充分降低了工作电流的变化以及不同的应用环境带来的测量误差，可以在基本不影响LED正常使用的情况下准确测量LED的PN结电压。
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公开(公告)号：CN113721122A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010450275.0
申请日：2020-05-25
申请人： 中车永济电机有限公司
发明人： 曹琳
IPC分类号： G01R31/27
摘要： 本发明提供了一种焊层寿命失效的测试方法。该焊层寿命失效的测试方法包括：对标定功率模块中的同一预设位置处的全新碳化硅器件和失效碳化硅器件分别进行升温降温操作，获取全新碳化硅器件和失效碳化硅器件在降温过程中的预设时间的失效结温差值；对待测功率模块的预设位置处的碳化硅器件进行升温降温操作，获取使用前的碳化硅器件和使用过程中的碳化硅器件在降温过程中的预设时间的待测结温差值；根据待测结温差值和失效结温差值确定待测功率模块中预设位置处的碳化硅器件的焊层是否失效。本发明的测试方法不需要将待测功率模块中的碳化硅器件拆解下来即可完成对焊层寿命是否失效的测试，降低了焊层寿命失效测试的难度，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN111208460B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010076537.1
申请日：2020-01-23
申请人： 上海东软医疗科技有限公司 , 东软医疗系统股份有限公司
发明人： 林应锋
摘要： 本发明实施例提供一种延长梯度功放寿命的方法及梯度功放的监控装置。梯度功放包括X、Y、Z轴梯度功放，其分别用于对X、Y、Z轴梯度线圈的电流进行控制。该方法包括：确定制约X、Y、Z轴梯度功放的寿命的关键部件；建立X、Y、Z轴梯度功放的关键部件的模型，模型以对应轴的梯度线圈的电流为输入，模型的输出用于预估关键部件的性能；在预定周期内，每隔预定时间段获取梯度功放工作时X、Y、Z轴梯度线圈的电流，并基于模型，分别计算出X、Y、Z轴对应的模型的输出值；预测出在预定周期内输出值在X、Y、Z轴上的数值差异；以及基于输出值在X、Y、Z轴上的数值差异，在预定周期到来时将至少两个轴的梯度功放进行互换。
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公开(公告)号：CN112345908B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011177495.7
申请日：2020-10-27
申请人： 郑州嘉晨电器有限公司
IPC分类号： G01R31/27
摘要： 本发明涉及一种功率开关管的电流检测电路，至少包括第一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、稳压二极管、三极管以及功率开关管，三极管与功率开关管的漏极连接以监测功率开关管漏极的压降从而实现对功率开关管的电流的检测，并且三极管的集电极通过由第一电阻与第一二极管并联构建的支路连接以使得第一电阻和第一二极管并联节点中与三极管的集电极连接的第一节点作为反馈功率开关管电流是否过大的反馈信号，在三极管的发射极直接与功率开关管的漏极连接的情况下，在三极管的基极与发射极之间并联彼此正负极相反的第三二极管和稳压二极管，并在三极管的集电极与第一节点之间串联第二二极管。
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公开(公告)号：CN110007206B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910285748.3
申请日：2019-04-10
申请人： 嘉兴腓特烈太赫科技有限公司
发明人： 胡海涛
摘要： 本发明公开了一种基于直流检测筛选4管非平衡式太赫兹二倍频器的方法，涉及倍频器技术领域。所述方法将万用表的测试档位调至二极管测试挡，万用表的红色探针连接SMA头的芯子，万用表的黑色探针连接倍频器的腔体外壳，万用表显示两个二极管串的开启电压，根据测试的二极管串的开启电压的数值大小来判定4管芯太赫兹非平衡式二倍频器的性能是否合格。所述方法工艺简单，能够快速的筛选出不合格的太赫兹二倍频器。
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