自动数控双切边加工装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111790950A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010768852.0

    申请日:2020-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种自动数控双切边加工装置,包括机架、装设于机架上的可调节工作台、装设于机架两侧的切边机构及用于带动切边机构移动的移动机构;所述可调节工作台包括左工作台、右工作台及用于调节左工作台和右工作台之间的距离的第一调节机构。本发明实施例将传统的固定式工作台改进为包括左工作台和右工作台且间距可调节的可调节工作台,能够实现适应不同规格的板材的切边操作;确保切边机构始终处于可调节工作台两侧的位置进行双边同步切边,能够有效提高加工效率,实现加工过程的全自动化,简单便捷。

    板材零件加工过程表面自动清洁装置

    公开(公告)号:CN111790689A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010768853.5

    申请日:2020-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种板材零件加工过程表面自动清洁装置,包括机架、装设于机架上的初级清洁机构及装设于初级清洁机构一侧的次级清洁机构;所述初级清洁机构用于对板材零件同时进行吹、吸复合除尘清洁操作,所述次级清洁机构用于对初级清洁机构清洁后的板材零件同时进行滚刷清扫和吸尘清洁操作。本发明实施例通过初级清洁机构对板材零件同时进行吹、吸复合除尘清洁操作,通过吹起粉尘和吸收粉尘两个过程,可以除去粘附能力很强的粉尘;通过次级清洁机构对板材零件同时进行滚刷清扫和吸尘清洁操作,进一步将工件表面粘附的微细灰尘进一步清扫干净,实现生产过程高效、高质在线自动化清洁板类零件加工表面粉尘的目的,显著提高了生产效率和产品质量。

    一种智能家居系统
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109889414A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201711277846.X

    申请日:2017-12-06

    Inventor: 王勇 王瑛

    Abstract: 本发明提供一种智能家居系统,包括安装在床上的用于检测是否有人体存在的数个称重传感器,各称重传感器同时与一控制器连接;所述控制器还分别与床头灯控制电路、室内空调系统控制电路、以及室内净化设备控制电路连接;在床头上方设有与控制器连接的睡眠识别模块;所述室内净化设备包括净化器主机以及用于控制净化器主机启停的检测模块。本发明充分的考虑到了日常生活中人们的作息特点,全自动化控制室内设施,当人体进入睡眠状态时,控制器会发出确认睡眠指令,控制床头灯熄灭,控制其它相应的设施或低功耗降噪运行,或调解到舒适睡眠的运行条件,保证室内人员舒适的睡眠环境。

    一种面部识别支付平台
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109472579A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811297095.2

    申请日:2018-11-01

    Inventor: 王勇

    Abstract: 本发明公开一种面部识别支付平台,包括通信网络、以及基于通信网络的买家、店家、面部识别支付系统、智能手机、面部数据云存储平台、面部特征比对服务器和资金管理中心;买家和店家利用面部识别支付系统调用云存储平台中的面部数据与实时采集的数据进行对比,并在资金管理中心进行资金转移。本发明基于云平台以及3D人脸识别,利用人的相貌特征完成身份认证,在支付阶段通过“扫脸”来取代传统密码,无需用户完成指定动作配合,可拦截照片、面具、视频等攻击手段。人脸支付的使用,优化了支付流程,有效提升用户日常购物消费体验,提高了商家的交易效率,带动了零售业的发展。

    一种GaAs纳米线的制作方法

    公开(公告)号:CN106128957B

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201610615915.2

    申请日:2016-07-29

    Inventor: 王勇 王瑛 丁超

    Abstract: 本发明公布了一种GaAs纳米线制作方法,该制作方法步骤如下:准备一砷化镓衬底、一InGaP缓冲层和一砷化镓沟道层的材料结构;在砷化镓沟道层中刻蚀出50纳米宽的脊状图形;然后在臭氧去胶机中进行20分钟的处理;采用浓盐酸清洗1分钟,稀盐酸清洗2分钟;在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理;采用浓盐酸清洗1分钟,稀盐酸清洗2分钟;在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理,再采用稀释的磷酸进行清洗的方法处理5‑10次;最后得到10‑20纳米宽的GaAs纳米线。

    一种自对准GaAs-PMOS器件结构

    公开(公告)号:CN106024904B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201610613952.X

    申请日:2016-07-29

    Inventor: 王勇 王瑛 丁超

    Abstract: 本发明公布了一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构,其结构如下:一N型砷化镓沟道层;一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层;一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层;一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极;一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层;一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极;一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域;一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极。

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