电致发光器件
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103154076B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201180048811.3

    申请日:2011-09-02

    发明人: J·皮罗

    IPC分类号: C08G61/10 C09K11/06 H01L51/00

    摘要: 本发明公开了一种电致发光器件(20),所述电致发光器件具有第一层,该第一层包含氟化的第一有机化合物,所述第一有机化合物具有一个或多个芴残基并且可溶于氟化溶剂,所述第一层与具有第二有机化合物的第二层相邻,所述第二有机化合物不溶于氟化溶剂,本发明还公开了用于制造所述器件的方法和材料。

    有机电致发光器件及制造方法

    公开(公告)号:CN102396086B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201080016566.3

    申请日:2010-04-15

    IPC分类号: H01L51/50

    CPC分类号: H01L51/5048

    摘要: 有机电致发光器件包含阳极;阴极;该阳极和该阴极之间的包含电子传输材料的第一电致发光层;以及该第一电致发光层和该阳极之间的第二电致发光层。该第二电致发光层包含空穴传输材料和电致发光电子俘获材料。该第一电致发光层可以包含具有电子传输材料和电致发光材料的聚合物,并可以包括任选地电致发光的空穴传输材料。第一电致发光层的空穴传输材料和第一电致发光层的电致发光材料中之一或两者以及电子传输材料为同一分子或聚合物的组成部分。优选地,该电子传输材料包含多个相邻的亚芳基重复单元。

    有机半导体共混物
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105190924A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201480013911.6

    申请日:2014-03-12

    发明人: C·纽萨姆

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/05

    摘要: 用于制备有机电子器件的半导体层的共混物,该共混物包含聚合物、第一非聚合物半导体、第二非聚合物半导体和第三非聚合物半导体。该共混物使得能够实现更高浓度的半导体溶液以及更宽的溶液加工窗口,相比于包含一种聚合物和一种非聚合物半导体的共混物而言。例如,包含F8-TFB和三种不同的取代苯并噻吩衍生物的共混物与具有一种聚合物和这些苯并噻吩衍生物之一的共混物相比在OTFT中显示出高三倍的平均饱和迁移率以及在60℃、80℃和100℃干燥之后一致的峰值饱和迁移率,即使在2分钟的延迟之后。

    照明瓦片
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104425763A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410407637.2

    申请日:2014-08-19

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明描述了一种照明瓦片,其具有用于承载电极结构的基板,该电极结构包括:布置于所述基板之上的多个导电轨道;以及与所述多个轨道连接的电连接区;其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离电连接区而发生的亮度降低,该亮度降低由沿着使用中的轨道而出现的不均匀的电压降引起。有利地,轨道通过电镀来制作:然后,由于沉积率由在电镀时沿着轨道的电压降所确定,因而所沉积的轨道的高度,以及因此还有它们的电阻,将会匹配在工作时所要求的分布以补偿亮度降低,否则该亮度降低将会出现。

    有机半导体
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102227484B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN200980147415.9

    申请日:2009-11-27

    IPC分类号: C09K11/06 H05B33/10

    摘要: 包含式(I)的结构的有机半导体化合物:其中Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地包含单环芳环并且Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的至少之一被至少一个取代基X取代,该取代基各自可以相同或不同并选自(i)具有1至20个碳原子的任选取代的直链、支化或环状烷基链,烷氧基,氨基,酰氨基,甲硅烷基或烯基,或者(ii)可聚合或反应性基团,该基团选自卤素、硼酸、二硼酸以及硼酸和二硼酸的酯、亚烷基和甲锡烷基,并且其中Ar1、Ar2、Ar3和Ar4可以各自任选地稠合到一个或多个另外的环上。该有机半导体化合物在有机半导体器件例如薄膜晶体管中用作活性层。