公开(公告)号：CN106062981B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580009154.X

申请日：2015-02-16

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  创新实验室有限公司 ,  不伦瑞克工业大学 ,  马普科技促进协会

发明人： M·杰斯伯 ,  M·汉贝格尔 ,  J·申克 ,  M·奥特 ,  K·米伦

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/122 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1646 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3328 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/92 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/105 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5203 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明涉及甲氧基芳基表面改性剂。此外，本发明还涉及包含这样的甲氧基芳基表面改性剂的有机电子器件。

公开(公告)号：CN105981106B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201580008215.0

申请日：2015-02-11

申请人： IMEC ,  非营利协会 ,  荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： K·J·R·明尼 ,  G·基淋克 ,  J·吉诺

IPC分类号： G11C29/00 ,  H01L21/66 ,  H01L51/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L51/0022 ,  G11C17/146 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2029/5002 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0512

摘要： 提供了一种薄膜电路的制造方法，该方法包括：(a)获取包括具有输出的至少一个逻辑门电路的薄膜电路，至少一个逻辑门电路包括多个驱动晶体管和多个负载元件，至少一个负载元件电连接到输出；(b)将一系列预定电压图案顺序地提供给多个驱动晶体管，电压图案包括在相应驱动晶体管的栅极和源极之间分别施加的一组电压；(c)测量与一系列预定电压图案相对应的至少一个逻辑门电路的一系列输出电压值；(d)将一系列输出电压值与一系列相应的预定参考输出电压值进行比较；(e)在输出电压值与相应的预定参考输出电压值不匹配的情况下，调节电连接到输出的负载元件的数量；以及(f)重复步骤(b)至(e)，直至一系列输出电压值与一系列预定参考输出电压值匹配。

公开(公告)号：CN106252362B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610799421.4

申请日：2016-08-31

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 曾勉

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136245 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105 ,  H05K2203/0384

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示器技术领域，该阵列基板包括一种传输门结构，所述传输门结构由下至上依次包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的且完全覆盖所述第一栅极的第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层之上的、与所述第一栅极相对的第一有源层，位于所述第一有源层之上的绝缘层，位于所述绝缘层之上的、通过位于所述绝缘层的过孔实现与所述第一有源层电连接的源漏极层，位于所述源漏极层之上的第二有源层，位于所述第二有源层之上的且完全覆盖所述第二有源层的第二栅极绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层之上的、与所述第二栅极相对的第二栅极。

公开(公告)号：CN107621718A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710579773.3

申请日：2017-07-17

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金容奭 ,  李大镐 ,  李俊翰 ,  金泳敏 ,  朴海日

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/016 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133536 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133617 ,  G02F1/13363 ,  G02F2001/133548 ,  G02F2001/133638 ,  G02F2202/36 ,  G02F2413/01 ,  G02F2413/02 ,  G02F2413/03 ,  G02F2413/05 ,  H01L27/14621 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/5293

摘要： 本申请提供了一种显示设备及其制造方法。该显示设备包括：显示基板；与显示基板相对的相对基板；和布置在显示基板和相对基板之间的光量控制层。显示基板包括：第一基板；布置在第一基板上的薄膜晶体管；和连接到薄膜晶体管的像素电极。相对基板包括：第二基板；布置在第二基板上的颜色转换层；和布置在颜色转换层上的第一偏振器。第一偏振器包括：基底基板；和布置在基底基板的一个表面上的线性偏振器。第一偏振器与像素电极相对。基底基板的其上布置有线性偏振器的一个表面具有约60nm或更小的平坦度。

公开(公告)号：CN105190925B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480025848.8

申请日：2014-04-28

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 裴在顺 ,  崔斗焕 ,  李载澈 ,  李志永 ,  崔祯珉 ,  李幸根 ,  金填硕 ,  张松林 ,  曹根

IPC分类号： H01L51/46 ,  C09K11/06

CPC分类号： H01L51/0047 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明涉及有机电子器件，更具体地，涉及包括以下的有机电子器件：第一电极；对向第一电极的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机材料层，其中所述有机材料层中的一个或更多个层包含富勒烯衍生物，因此本发明具有极好的发光效率和热稳定性以及改善的寿命特征。

公开(公告)号：CN107266680A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710437185.6

申请日：2012-05-24

申请人： 纽多维有限公司

发明人： 贝弗莉·安妮·布朗 ,  西蒙·多米尼克·奥吉尔 ,  马可·帕伦博 ,  克里·劳拉·梅可

IPC分类号： C08G73/02 ,  C09D5/24 ,  C09D179/02 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0035 ,  C08G73/026 ,  C09D5/24 ,  C09D179/02 ,  H01B1/121 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 本申请涉及晶体管及其制造方法。一种半导体组合物，其包含可溶性多并苯半导体及聚合半导体粘合剂，该粘合剂在1000Hz下的电容率大于3.4。当在纯态下测量时，该半导体粘合剂的电荷迁移率大于10-7cm2/Vs且更优选地大于10-6cm2/Vs。源极及漏极由半导体组合物桥联的有机薄膜晶体管具有期望的再现性及电荷迁移率性质。该有机半导体组合物可通过溶液涂布施用。

公开(公告)号：CN104205390B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380013586.9

申请日：2013-03-05

申请人： 默克专利有限公司

发明人： 克里斯托夫·普夫卢姆 ,  弗兰克·福格斯 ,  乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴 ,  菲利普·斯托塞尔 ,  约阿希姆·凯泽

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07C211/61 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0056 ,  C09B19/00 ,  C09B21/00 ,  C09B23/141 ,  C09B57/00 ,  C09B57/008 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5064 ,  H01L2251/552 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549

摘要： 本申请涉及一种电子器件，其含有阳极，阴极，在阳极和阴极之间的至少一个发光层，至少一个包含单三芳基胺作为主体材料的p掺杂层A，和至少一个包含单三芳基胺的层B。本发明还涉及一种p掺杂混合物，其包含式(II)、(III)或(IV)的单三芳基胺作为主体材料和电子受体化合物作为掺杂剂，还涉及该混合物在电子器件中的用途。

公开(公告)号：CN104736597B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201380015974.0

申请日：2013-02-25

申请人： 斯马特凯姆有限公司

发明人： R.J.格里菲思

IPC分类号： C08G61/12

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G61/128 ,  C08G75/06 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K5/01 ,  C09D11/52 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/30 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C08L65/00

摘要： 本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

公开(公告)号：CN106953010A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710129601.6

申请日：2017-03-07

申请人： 南京邮电大学

发明人： 仪明东 ,  陈旭东 ,  黄维 ,  吴德群 ,  凌海峰 ,  解令海

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0512 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0516

摘要： 本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。

公开(公告)号：CN106941130A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610003954.7

申请日：2016-01-05

申请人： 江苏科技大学

发明人： 刘瑞 ,  盛洪超

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/102

摘要： 本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括：间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接；覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层；以及，叠设在所述介质层上的栅极。其中，所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合，在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管，其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。