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公开(公告)号：CN110773404A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911058144.1
申请日：2019-11-04
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明提供了一种轻量化柔性AR显示屏，由透明聚合物薄膜、透明红外上转换薄膜和透明聚合物保护膜组成，其中：所述透明红外上转换薄膜涂敷在所述透明聚合物薄膜上；所述透明聚合物保护膜涂敷在所述透明红外上转换薄膜上；所述透明聚合物薄膜、透明红外上转换薄膜和透明聚合物保护膜分层相连。进一步还提供了该AR显示屏的制备方法。本发明针对现有AR显示屏幕存在的技术和应用瓶颈，实现基于上转换材料的轻量化和柔性化图文AR显示屏幕，具有轻量化和柔性化、全透明、多人观看、低成本制造等特点。
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公开(公告)号：CN110736548A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910997310.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明提供一种使红外光图像上转换至可见光图像的方法，使用凸透镜接收所述红外光图像进行焦平面成像；在所述凸透镜焦平面处，使用上转换薄膜接收经所述凸透镜透射成像的红外光图像经上转换形成可见光图像，并提供了一种使红外光图像上转换至可见光图像的装置以及所使用的上转换薄膜。实现了不依赖现有的半导体红外线探测和成像器件和系统，直接实现红外人类眼睛的可视化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110165050A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910404863.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Inventor： 不公告发明人
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的提供一种高一致性忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括惰性金属下电极、氧化物阻变层、活性金属纳米插层、惰性金属上电极，氧化物阻变层中包含有部分的活性金属原子，其特征在于沿由所述金属下电极指向所述金属上电极的方向，活性金属原子的含量递增变化，本发明的忆阻器在外加电压作用下能够实现高低阻态的转变，呈现双极性阻变。器件阻变电压的幅度≤3V，阻态波动小于30％，良率大于90％。所述制备方法，通过器件结构设计、工艺优化，实现活性金属原子对氧化物阻变层的梯度掺杂，降低器件离散性，提高器件的良率。本发明中忆阻器阻变的机制主要由活性金属原子参与的氧化还原反应所主导，器件的阻态波动小于30％，良率大于90％。
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公开(公告)号：CN109917500A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811437736.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本专利针对新型低成本的红外透镜，提出了利用红外高透性聚合物材料作为红外透镜的材料。由于聚合物材料优异的加工性能，其结构具有很强的可设计性，可设计出具有表面微结构的有机红外透镜，例如，超透镜、菲涅尔透镜等。再采用压印技术等方法对其进行加工，得到具有高红外透过率的有机红外薄膜透镜。
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公开(公告)号：CN109031503A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811266899.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
CPC classification number: G02B5/3058 , G02B5/3033 , G03F7/0002
Abstract: 本发明提供一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片及制备方法，在高阻硅基片上设有一层高低错落分布栅状结构的紫外胶薄膜；紫外胶薄膜的上表面复合有金属薄膜。采用高阻硅基片克服了现有太赫兹偏振片在支撑结构上的缺陷，使得太赫兹偏振片从需要框架支撑的太赫兹偏振薄膜，发展成为具有很强结构稳定性和可靠性的太赫兹偏振芯片。本发明采用标准紫外纳米压印工艺和微机械电子系统（MEMS）工艺制备，制备工艺成熟、可靠，能够用于本发明提出的高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片的规模化制造。
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公开(公告)号：CN208847859U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821757869.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片，在高阻硅基片上设有一层高低错落分布栅状结构的紫外胶薄膜；紫外胶薄膜的上表面复合有金属薄膜。采用高阻硅基片克服了现有太赫兹偏振片在支撑结构上的缺陷，使得太赫兹偏振片从需要框架支撑的太赫兹偏振薄膜，发展成为具有很强结构稳定性和可靠性的太赫兹偏振芯片。本实用新型采用标准紫外纳米压印工艺和微机械电子系统（MEMS）工艺制备，制备工艺成熟、可靠，能够用于本实用新型提出的高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片的规模化制造。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208752235U
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201821408092.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种悬空结构亚波长导模共振太赫兹高效窄带滤波器件，主要由基片、太赫兹谐振结构及悬空结构的支撑构成；基片为高阻硅基片、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚酰亚胺；太赫兹谐振结构为高阻硅、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚酰亚胺材料制成；支撑结构为二氧化硅材料制成。本实用新型滤波效率不随波长变长而降低、滤波带宽不随波长变长而展宽，可以实现高效和窄带滤波。本实用新型滤波器采用高阻硅共振结构悬空技术，提高了滤波效率和导模共振的品质因子，降低了共振结构的损耗，降低了带宽；采用二维阵列结构，克服了器件不对称问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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