-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109830491A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910019233.9
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0256 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种热红外光探测器阵列、红外成像系统及方法，所述热红外光探测器阵列由若干个探测器单元排列组合而成，每个探测器单元由从上至下由三层叠加而成，第一层为热红外吸收材料(31)，用于在吸收热红外线后温度发生变化；第二层为热应变材料(32)，用于在感知到温度变化后产生变形；第三层为柔性可见光透明材料(33)，用于透过热应变材料(32)反射的可见光。基于该热红外光探测器阵列，本发明还提供了一种基于材料热应变的热红外成像系统及其方法。本发明的系统极大地降低了热红外成像仪的制造成本。
-
公开(公告)号：CN109031503A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811266899.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
CPC classification number: G02B5/3058 , G02B5/3033 , G03F7/0002
Abstract: 本发明提供一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片及制备方法，在高阻硅基片上设有一层高低错落分布栅状结构的紫外胶薄膜；紫外胶薄膜的上表面复合有金属薄膜。采用高阻硅基片克服了现有太赫兹偏振片在支撑结构上的缺陷，使得太赫兹偏振片从需要框架支撑的太赫兹偏振薄膜，发展成为具有很强结构稳定性和可靠性的太赫兹偏振芯片。本发明采用标准紫外纳米压印工艺和微机械电子系统（MEMS）工艺制备，制备工艺成熟、可靠，能够用于本发明提出的高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片的规模化制造。
-
公开(公告)号：CN108828705A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810999556.4
申请日：2018-08-30
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Abstract: 本发明提供一种悬空结构亚波长导模共振太赫兹高效窄带滤波方法，为一种新的滤波方法；同时，还提供了该方法制备的器件及制备方法，滤波效率不随波长变长而降低、滤波带宽不随波长变长而展宽，可以实现高效和窄带滤波。本发明滤波器采用高阻硅共振结构悬空技术，提高了滤波效率和导模共振的品质因子，降低了共振结构的损耗，降低了带宽；采用二维阵列结构，克服了器件不对称问题。
-
公开(公告)号：CN208847859U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821757869.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片，在高阻硅基片上设有一层高低错落分布栅状结构的紫外胶薄膜；紫外胶薄膜的上表面复合有金属薄膜。采用高阻硅基片克服了现有太赫兹偏振片在支撑结构上的缺陷，使得太赫兹偏振片从需要框架支撑的太赫兹偏振薄膜，发展成为具有很强结构稳定性和可靠性的太赫兹偏振芯片。本实用新型采用标准紫外纳米压印工艺和微机械电子系统（MEMS）工艺制备，制备工艺成熟、可靠，能够用于本实用新型提出的高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片的规模化制造。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208752235U
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201821408092.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种悬空结构亚波长导模共振太赫兹高效窄带滤波器件，主要由基片、太赫兹谐振结构及悬空结构的支撑构成；基片为高阻硅基片、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚酰亚胺；太赫兹谐振结构为高阻硅、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚酰亚胺材料制成；支撑结构为二氧化硅材料制成。本实用新型滤波效率不随波长变长而降低、滤波带宽不随波长变长而展宽，可以实现高效和窄带滤波。本实用新型滤波器采用高阻硅共振结构悬空技术，提高了滤波效率和导模共振的品质因子，降低了共振结构的损耗，降低了带宽；采用二维阵列结构，克服了器件不对称问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.034 seconds)
