公开(公告)号：CN111916455A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010384755.1

申请日：2020-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  宋昇炫

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种单元架构以及用于布置多个单元以形成单元架构的方法。单元架构至少包括在单元宽度方向上彼此相邻布置的第一单元和第二单元，其中，第一单元包括一鳍连接器，该一鳍连接器围绕第一单元的多个鳍之中的一个鳍形成并将第一单元的垂直场效应晶体管(VFET)连接至第一单元的电源轨，第二单元包括连接至第二单元的电源轨的连接器，其中第一单元的鳍和第二单元的连接器在单元架构中在单元宽度方向上彼此相邻布置，并且其中第一单元的一鳍连接器和第二单元的连接器合并。

公开(公告)号：CN111146276A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911021682.3

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  郑荣采

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括在竖直方向上从衬底突出的沟道区、第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区可以与所述沟道区竖直地交叠。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区分别与所述沟道区的第一部分和第二部分接触，所述沟道区的所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分可以包括在垂直于所述竖直方向的第一水平方向上纵向延伸的第一沟道区和在垂直于所述竖直方向并且横穿所述第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸的第二沟道区。所述集成电路器件还可以包括栅极结构，所述栅极结构位于所述沟道区的相对的竖直侧面上。