包括堆叠结构的半导体器件

    公开(公告)号:CN110323226A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910196960.2

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,该半导体器件包括:下栅电极,位于衬底上并彼此间隔开;上栅电极,位于下栅电极之上并彼此间隔开;R型焊盘,从下栅电极或上栅电极当中的至少一个电极的一端延伸,并具有比连接到该R型焊盘的下栅电极或上栅电极大的厚度;以及P型焊盘,从下栅电极或上栅电极当中的没有连接到R型焊盘的至少一个电极的一端延伸,并具有与R型焊盘不同的厚度,其中P型焊盘包括连接到下栅电极当中的最上面的下栅电极的第一焊盘。

Patent Agency Ranking