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公开(公告)号:CN116344429A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211522373.6
申请日:2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/48
Abstract: 一种微型半导体芯片转移装置,包括:湿芯片供应模块,被配置为将多个微型半导体芯片和液体供应到转移基板上;芯片对准模块,包括吸收器,该吸收器被配置为在吸收液体的同时沿着转移基板的表面移动;以及芯片提取模块,被配置为从吸收器提取保留在吸收器中的微型半导体芯片。
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公开(公告)号:CN116207124A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202211531848.8
申请日:2022-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种微型发光半导体器件,包括:第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层、提供在发光层上的第二半导体层、以及提供在第二半导体层上的颜色转换层,颜色转换层包括多孔层,该多孔层包括量子点,其中第二半导体层的掺杂类型与颜色转换层的掺杂类型不同。
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公开(公告)号:CN116137245A
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202211432888.7
申请日:2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , B01D29/00 , H01L33/00
Abstract: 本公开提供了芯片传送装置和芯片过滤装置。该芯片传送装置包括:芯片存储模块,在其中存储包括多个微型半导体芯片和杂质的悬浮液;芯片过滤模块,从悬浮液分离包括多个微型半导体芯片的第一悬浮液和包括杂质的第二悬浮液;以及芯片供应模块,配置为将第一悬浮液供应到传送基板上,使得第一悬浮液从芯片过滤模块引入,并且多个微型半导体芯片在传送基板上是可流动的。
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公开(公告)号:CN108235125B
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN201711334386.X
申请日:2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/442 , H04N21/422 , H04N21/4223 , H04N21/431 , H04N21/482 , H04N21/81 , H04N5/57
Abstract: 一种显示装置,包括:显示器,被配置为显示图像;至少一个传感器,被配置为生成与用户相对于显示装置的位置有关的感测数据;存储器,被配置为存储与显示器后方的背景区域的背景图像有关的背景图像数据;以及处理器,被配置为基于背景图像数据和感测数据生成内容屏幕并控制显示器显示所生成的内容屏幕,其中内容屏幕包括布置在背景图像上的至少一个图形对象,并且其中背景图像和所述至少一个图形对象中的至少一个响应于感测数据的变化而改变。
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公开(公告)号:CN110036365A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201780072945.6
申请日:2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置,包括:显示器,被配置为显示图像;至少一个传感器,被配置为生成与从设置在显示器周围的外部光源投射到显示器上的外部光的方向和强度中的至少一个有关的感测数据;存储器,被配置为存储与显示器后方的背景区域的背景图像有关的背景图像数据;以及处理器,被配置为基于背景图像数据和感测数据生成内容屏幕,并且控制显示器显示内容屏幕,其中内容屏幕可以包括设置在背景图像上的至少一个图形对象和与所述至少一个图形对象相对应的阴影,并且阴影的位置和明暗度中的至少一个响应于感测数据的变化而改变。
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公开(公告)号:CN108061973A
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201710991253.3
申请日:2017-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/0061 , G02B6/0035 , G02B6/0036 , G02B6/005 , G02B6/0068 , G02B27/2214
Abstract: 提供了一种定向背光单元和包括该定向背光单元的图像显示设备。所述定向背光单元包括至少一个光源、以及引导由所述光源发射的光的导光板。形成在所导光板上的光栅图案之间的间隔满足以下条件中的至少一个:第一范围和第二范围,以便最小化由所述光栅图案引起的光的扩散。
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公开(公告)号:CN1717138A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200510081405.3
申请日:2005-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5281 , G02B3/0018 , G02B3/0068 , H01J11/10 , H01J11/44 , H01J29/896 , H01J2211/444 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/5275
Abstract: 本发明提供了涉及将外部光朝光吸收区聚焦以增强显示器亮度和对比度的显示器微结构的装置和方法。显示器包括被设置在光发射层一侧的光吸收层。光吸收层包括光折射结构和光吸收元件,其中每个光吸收元件被设置在光折射结构内。光引导结构基本上朝多个光吸收元件中被设置在其中的一个引导入射光以减小外部光的反射。
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公开(公告)号:CN118335852A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410029785.9
申请日:2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括:提供多个基底转移基板,每个所述基底转移基板包括多个凹槽;在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板;在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板;通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构;通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构;以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。
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公开(公告)号:CN117199207A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310252105.5
申请日:2023-03-14
Abstract: 提供一种微型芯片,包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层,其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度,使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。
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公开(公告)号:CN116110815A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202210898505.9
申请日:2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供一种器件转移基板以及包括该器件转移基板的器件转移结构和显示装置。该器件转移基板包括多个凹槽,其中所述多个凹槽中的每个包括具有第一图形的形状的第一区域和具有第二图形的形状的第二区域,其中第一区域的一部分与第二区域的一部分部分地重叠以形成重叠区域,其中重叠区域在与穿过第一图形的中心和第二图形的中心的直线交叉的方向上的最大宽度小于第一图形的直径或对角线长度并且小于第二图形的直径或对角线长度。
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