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公开(公告)号：CN108075239A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710665034.6
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01Q7/00 , H01F38/14 , H01Q1/242 , H01Q5/335 , H02J50/10 , H02J50/80 , H04B5/0037 , H04B5/0075 , H01Q23/00
Abstract: 公开一种具有共享线圈的无线装置。所述无线装置包括具有多个环的线圈、第一接收电路和第二接收电路。第一接收电路被配置为通过所述多个环的一部分接收第一频带的信号，第二接收电路被配置为通过所述多个环抑制第一频带的信号。
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公开(公告)号：CN110557637B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910470046.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李元硕
IPC: H04N19/42 , H04N19/184 , H04N19/182 , H04N25/11
Abstract: 本公开提供了对图像编码的设备、对图像解码的设备及图像传感器。一种图像编码设备包括：压缩器，其基于编码模式中的一个编码模式产生包括与原始像素的值对应的编码数据的位流；以及重构器，其通过对所述位流进行重构来产生参考像素的值。在所述编码模式中的第一模式下，压缩器基于所述原始像素的值中的每一个与参考值之间的差值产生所述位流，其中，所述参考值基于所述参考像素的值中的至少一个。在所述编码模式中的第二模式下，压缩器基于所述原始像素的值中的至少两个值的平均值来产生所述位流。
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公开(公告)号：CN113949879A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110802432.4
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/184
Abstract: 提供了一种图像压缩相机模块、一种图像处理系统和一种压缩形成图像数据的多个像素组中的每一个的方法。所述方法包括：检测像素组中的多个像素中的坏像素；产生指示关于所述坏像素的位置信息的标示；计算所述多个像素中的除所述坏像素之外的像素的像素值与参考像素值之间的第一差；以及产生包括所述标示和所述第一差的比特流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113949878A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110794817.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/186
Abstract: 提供了一种用于压缩由图像传感器生成的图像数据的图像压缩方法，该图像压缩方法包括：检测图像数据中包括的像素组中包括的多个像素中的饱和像素，饱和像素具有超过阈值的像素值，并且多个像素彼此相邻并且彼此具有相同的颜色；生成指示饱和像素的位置的饱和标志；通过将参考像素与像素组中包括的多个像素中的至少一个非饱和像素进行比较来压缩图像数据；以及输出包括饱和标志、压缩结果和压缩方法的比特流。
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公开(公告)号：CN113573071A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110448054.4
申请日：2021-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/186 , H04N19/117 , H04N5/374
Abstract: 提供了图像压缩方法、编码器和包括编码器的相机模块。所述图像压缩方法包括：将与彼此邻近布置并生成第一颜色信息的多个子像素对应的图像数据分类为第一颜色像素；基于所述多个子像素的像素值，确定作为用于压缩图像数据的标准的参考值；将所述多个子像素的像素值与参考值进行比较；和输出比较结果和参考值。
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公开(公告)号：CN100391014C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410062143.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN1581528A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062143.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。
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