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公开(公告)号：CN1661870A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510065668.5
申请日：2005-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作。
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公开(公告)号：CN101018345A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610159337.2
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种激光显示装置，包括：光源，发射至少一束激光束；光调制单元，根据图像信号调制从光源发射的激光束；扫描单元，沿主扫描方向和子扫描方向扫描在光调制单元中调制的激光束；以及成像单元，图像在其中被形成，且其具有磷光层，通过扫描单元扫描的激光束在该磷光层中产生激发光。
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公开(公告)号：CN1972044A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149412.7
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。
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公开(公告)号：CN1617364A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100539212C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510124621.1
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100483753C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III-V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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公开(公告)号：CN100461562C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510065668.5
申请日：2005-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作，和第一电极层只包括作为接触层和波导工作的金属波导层。
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公开(公告)号：CN101110394A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710007940.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III－V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1490910A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03147571.X
申请日：2003-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种半导体光电子器件。这种半导体光电子器件包括有源层，设置在有源层上方的上部波导层和设置在有源层下方的下部波导层，设置在上部波导层上方的上部包覆层和设置在下部波导层下方的下部包覆层，支撑所述下部包覆层、下部波导层、有源层、上部波导层以及上部包覆层的堆积结构的衬底，以及设置在有源层与上部波导层之间的上部光限制层和设置在有源层与下部波导层之间的下部光限制层，所述上部和下部光限制层的禁带宽度小于上部和下部波导层的禁带宽度，但是大于有源层的禁带宽度。
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