公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

摘要： 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN108010843B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201711137450.5

申请日：2017-11-16

申请人： 厦门市三安集成电路有限公司

发明人： 房育涛 ,  叶念慈

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了一种通过极化掺杂的方法制备增强型GaN基晶体管的方法。利用AlN和GaN的自发极化强度之间存在较大的差别，可以通过组分渐变的AlxGa1‑xN实现极化掺杂获得P型AlxGa1‑xN层。在GaN基材料外延生长Al组分逐渐减小的P‑型AlxGa1‑xN层，然后在P‑型AlxGa1‑xN层上生长AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层为Al组分x从0％‑10％增加到15％‑35％的组分渐变层或x为15％‑35％的组分固定层，再制作与AlxGa1‑xN层形成欧姆接触的源、漏极以及与P‑型AlxGa1‑xN层形成肖特基接触的栅极。通过改变P‑型AlxGa1‑xN的组分厚度可以调节器件开启电压，通过改变AlxGa1‑xN层的厚度和组分可以调节导通电阻，从而获得低导通电阻高开启电压的增强型GaN基晶体管。制作方法简单，无特殊工艺要求，可控性强。

公开(公告)号：CN105226092B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510522695.4

申请日：2010-10-19

申请人： 英特尔公司

发明人： G.德维 ,  R.S.曹 ,  M.拉多萨夫耶维奇 ,  M.V.梅茨 ,  R.皮拉里塞蒂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： 描述基于量子阱的半导体器件以及形成基于量子阱的半导体器件的方法。一种方法包括提供布置在衬底之上并且包括量子阱沟道区的异质结构。该方法还包括在量子阱沟道区之上形成源和漏材料区。该方法还包括在源和漏材料区中形成沟槽，以便提供与漏区分离的源区。该方法还包括：在沟槽中在源区和漏区之间形成栅介电层；以及在沟槽中在栅介电层之上形成栅电极。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN106068547B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580011736.1

申请日：2015-02-10

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。

公开(公告)号：CN109585542A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811137574.8

申请日：2018-09-28

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 杨亚谕 ,  杜尚儒 ,  张宗正 ,  刘家呈

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/205

摘要： 本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0

公开(公告)号：CN109478504A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780034375.1

申请日：2017-06-02

申请人： IQE公司

发明人： 安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02491 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0505 ,  H01L2924/0525 ,  H01L2924/0545 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10335 ,  H01S3/09 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1605 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/1655 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3031 ,  H01S2301/17

摘要： 本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与第二半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的净应变，并且其中稀土磷属元素化物缓冲层可以包括一种或多种稀土元素以及一种或多种V族元素。在一些示例中，期望的应变近似为零。

公开(公告)号：CN105745366B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480057318.1

申请日：2014-09-05

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 市村干也 ,  仓冈义孝 ,  滑川政彦

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。

公开(公告)号：CN108807540A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810352486.3

申请日：2018-04-19

申请人： 黄智方

发明人： 黄智方 ,  江政毅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/783

摘要： 本发明提供一种沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构，包含：金属层分别设置于结构的上表面与底面；N型半导体基板设置于漏极上；N型漂移区设置于N型半导体基板上；N型电流分散层设置于N型漂移区上；P型阱设置于电流分散层上；N型半导体层设置于P型阱上；第一P型半导体层相邻N型半导体层并设置于P型阱上；沟槽延伸通过N型半导体层、P型阱及N型电流分散层；绝缘层设置于沟槽内；分离栅极设置于沟槽的绝缘层中并被绝缘层包覆；栅极设置于沟槽的绝缘层中且在分离栅极上；半导体保护层设置于沟槽的底部下并相邻于N型漂移区，且绝缘层设置于半导体保护层上；栅极与分离栅极被绝缘层区隔出预设间距，能保护绝缘层不被破坏。

公开(公告)号：CN108807499A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810392064.9

申请日：2018-04-27

申请人： 环球晶圆股份有限公司

发明人： 刘嘉哲 ,  黄彦纶 ,  林嫚萱

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/365 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/02573

摘要： 一种异质结构包括衬底；设置在所述衬底上的中间层；以及III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。