-
公开(公告)号：CN114914241A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111546317.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上与第一有源图案相邻；场绝缘膜，置于第一有源图案和第二有源图案之间；第一栅极结构，与第一有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第一栅电极和第一栅极间隔物；第二栅极结构，与第二有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第二栅电极和第二栅极间隔物；栅极分隔结构，置于第一栅极结构和第二栅极结构之间的场绝缘膜上。
-
公开(公告)号：CN112867895A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068552.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种空气调节器，该空气调节器包括：包括通孔的第一框架；可旋转地联接到第一框架的第二框架，第二框架包括翻边部分和由翻边部分形成的翻边孔，该翻边部分的至少一部分沿第一方向可插入通孔中，其中当翻边部分插入第一框架的通孔中时，翻边部分沿第一方向突出；以及紧固构件，沿与第一方向相反的第二方向可插入翻边孔中，并被配置成用作第二框架的旋转轴，其中当紧固构件插入翻边孔中时，紧固构件沿第二方向突出。
-
公开(公告)号：CN112687731A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010984326.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极/漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极/漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗(SiGe)，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。
-
-
公开(公告)号：CN110739311A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910603163.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L27/02 , H01L29/417 , H01L21/762 , H01L21/8244 , H01L21/28
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底的逻辑单元区域的PMOSFET部分上的第一有源图案、在逻辑单元区域的NMOSFET部分上的第二有源图案、在衬底的存储单元区域上的第三有源图案、在第三有源图案之间的第四有源图案、以及填充多个第一沟槽和多个第二沟槽的器件隔离层。每个第一沟槽插置在第一有源图案之间和第二有源图案之间。每个第二沟槽插置在第四有源图案之间以及在第三有源图案与第四有源图案之间。第三有源图案和第四有源图案的每个包括彼此垂直间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109003975A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810467183.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。
-
公开(公告)号：CN106355077A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610563208.3
申请日：2016-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F21/44 , H04L9/3226 , H04L9/3263 , H04W12/10 , H04W12/12 , H04W88/02 , H04L9/0866
Abstract: 公开认证应用处理器的显示驱动器集成电路和移动装置。显示驱动器集成电路包括：种子生成块，被配置为生成种子；加密块，被配置为加密种子并生成第一加密文本；比较块，被配置为从应用处理器接收第二加密文本，比较第一加密文本和第二加密文本，并基于比较结果输出控制信号信号，其中，种子被加密在第二加密文本中。
-
公开(公告)号：CN101572068B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910137713.1
申请日：2009-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3655
Abstract: 本发明公开了一种公共电压发生器，其包括运算放大器和多个开关。该运算放大器被配置为放大第一电压与第二电压之间的差并且输出经放大的电压作为公共电压。该多个开关被配置为在第一电压输出模式下将第三电压和第四电压作为电源传送至所述运算放大器，并且在第二电压输出模式下将第五电压和第六电压作为电源传送至所述运算放大器。
-
公开(公告)号：CN101572068A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910137713.1
申请日：2009-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3655
Abstract: 本发明公开了一种公共电压发生器，其包括运算放大器和多个开关。该运算放大器被配置为放大第一电压与第二电压之间的差并且输出经放大的电压作为公共电压。该多个开关被配置为在第一电压输出模式下将第三电压和第四电压作为电源传送至所述运算放大器，并且在第二电压输出模式下将第五电压和第六电压作为电源传送至所述运算放大器。
-
公开(公告)号：CN120050996A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411105441.8
申请日：2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，提供有设置在衬底的第一表面处的鳍型有源区；多个纳米片，设置在鳍型有源区的顶表面上并与鳍型有源区的顶表面分离；设置在鳍型有源区上的栅极线，栅极线围绕所述多个纳米片中的每个；设置在鳍型有源区上的源极/漏极区，源极/漏极区的侧壁与栅极线相邻并与所述多个纳米片接触；背面接触，从衬底的第二表面朝向源极/漏极区的下部延伸；以及高浓度掺杂层，设置在源极/漏极区的下部。高浓度掺杂层具有比源极/漏极区的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.033 seconds)
