公开(公告)号：CN117637777A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310540447.7

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  金振均 ,  裵秉择 ,  柳承辉

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的基底以及在第二表面上的微透镜、在第一表面上的互连线和在基底中的像素隔离部，像素隔离部被构造为使像素彼此隔离而不直接接触。像素隔离部可以包括绝缘隔离图案和导电图案，其中，导电图案与基底间隔开，并且绝缘隔离图案在基底和导电图案之间。导电图案可以包括在绝缘隔离图案的侧表面上顺序布置的第一导电图案、第二导电图案和第三导电图案。

公开(公告)号：CN114335036A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110798120.0

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  李昌圭 ,  任东模 ,  金周誾 ,  朴美善 ,  崔廷任 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

公开(公告)号：CN111009535A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910891841.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪贤基 ,  金局泰 ,  金振均 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括含有多个像素区域的衬底。所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器包括在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。

公开(公告)号：CN109411388A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810903569.7

申请日：2018-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  具奉珍 ,  金局泰 ,  李仁善 ,  洪守珍

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/683

Abstract: 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。

公开(公告)号：CN106252351A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610172033.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金局泰 ,  朴赞真 ,  申东石 ,  林永达 ,  洪思焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。