公开(公告)号：CN103579496A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN103579496B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN106252351A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610172033.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金局泰 ,  朴赞真 ,  申东石 ,  林永达 ,  洪思焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN106252351B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610172033.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金局泰 ,  朴赞真 ,  申东石 ,  林永达 ,  洪思焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN102468280A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110347712.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  孙炳根 ,  朴赞真 ,  赵慧珍 ,  张盛壹

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。

公开(公告)号：CN102201416B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110086496.5

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴赞真 ,  黄棋铉 ,  崔汉枚 ,  刘东哲 ,  许星会 ,  黄浣植 ,  中西俊郎 ,  朴洸珉 ,  李柱烈

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42348 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。

公开(公告)号：CN102201416A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110086496.5

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  黄棋铉 ,  崔汉枚 ,  朴赞真 ,  许星会

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42348 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。

公开(公告)号：CN101276819A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087429.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金志永 ,  王康龙 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  朴赞真

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹陷，以便在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。在多个第一沟槽内部的第二半导体层表面上提供多个第一存储节点。该器件还包括多个第一控制栅电极，其形成于多个第一存储节点上，用于填充多个第一沟槽。

公开(公告)号：CN1776891A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510087568.2

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  赵薰英 ,  金桢雨 ,  朴赞真 ,  吴钟守 ,  赵起贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 公开了一种使用离子注入制造的非易失性存储器件以及制造该器件的方法。在半导体衬底上形成介电层，并且通过使用Si或Ge的离子注入来形成离子注入层，该离子注入层用作电荷俘获地点。然后，执行退火工艺。接着，执行用于在介电层上形成晶体管的工艺。